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[期刊论文] 作者：陈德源,兰慕杰,
来源：微电子学与计算机 年份：1985
一、引言在C—V测试法广泛应用于工艺监控和理论研究的当今,如何全面了解C—V特性的不稳定因素并加以有效控制,从而掌握最佳测试条件是十分必要和急待解决的课题。特别对CCD...
[期刊论文] 作者：田丽,王蔚,兰慕杰,付强,
来源：电气电子教学学报 年份：2020
本文围绕电子信息类专业核心课“微电子工艺”、“微电子器件基础”以及实践课“微电子生产实习”和“微电子器件与工艺实验”等课程教学改革为核心,围绕学生教学主体进行课...
[期刊论文] 作者：张雅茹,兰慕杰,王东红,
来源：遥测遥控 年份：2002
叙述微型磁通门传感器研究的现状 ,介绍微型磁通门传感器的结构和加工工艺 ,比较不同类型微型磁通门的差异 ,探讨微型磁通门传感器研究的发展方向...
[期刊论文] 作者：陈德源,兰慕杰,金春林,
来源：微电子学与计算机 年份：1985
本文报导了一种非破坏性无毒、无污染、重复性好的MOS结构新型电极。可用平衡态C-V、准静态C-V和瞬态C-t测试、温—偏处理等工艺监控及界面特性研究。This paper reports a...
[期刊论文] 作者：王蔚,刘晓为,兰慕杰,霍明学,
来源：光学精密工程 年份：2004
丝网印刷法制备PZT厚膜工艺与MEMS技术兼容.通过调整PZT印刷浆料粘度,并采取多次套印、多次退火及合理的烧结工艺,在硅膜片上获得了较致密的PZT厚膜.采用悬臂梁方法对制备的A...
[期刊论文] 作者：霍明学,刘晓为,张铁良,兰慕杰,王东旺,
来源：压电与声光 年份：2004
设计了一种以多晶硅薄膜作为振动膜片的电容式硅微声传感器.通过有限元法(FEM)对传感器建模,并对其进行静力、模态和谐响应分析.模拟分析结果表明此传感器机械灵敏度可达1.81...
[期刊论文] 作者：刘晓为,邓琴,郭猛,兰慕杰,王喜莲,
来源：传感器技术 年份：2003
结合目前国内外各种微电源的发展现状,总结微电源的研究成果,从理论上探讨了利用MEMS体硅加工工艺制作微燃料电池的可行性.指出了MEMS燃料电池的发展趋势,并对MEMS燃料电池研...
[期刊论文] 作者：王蔚，刘晓为，兰慕杰，霍明学，WANGWei，LIUXiao-wei，LANMu-jie，HUOMing-xue,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：陈伟平,王东红,兰慕杰,韩金科,王喜莲,王蔚,
来源：第四届全国微米/纳米技术学术会议 年份：2000
本文介绍了一种振梁式硅微机械角速度传感器的结构和原理,在分析单晶硅结晶学特性的基础上,重点探讨了单晶硅垂直深槽刻蚀技术,在(110)单晶硅刻蚀出了宽度小于50微米、深度大...
[期刊论文] 作者：李兴冀,耿洪滨,兰慕杰,杨德庄,何世禹,刘超铭,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
An investigation of ionization and displacement damage in silicon NPN bipolar junction transistors (BJTs) is presented.The transistors were irradiated separatel...
[期刊论文] 作者：李兴冀,耿洪滨,兰慕杰,杨德庄,何世禹,刘超铭,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
The radiation effects of the metal-oxide-semiconductor(MOS) and the bipolar devices are characterised using 8 MeV protons,60 MeV Br ions and 1 MeV electrons.Key...
[期刊论文] 作者：游余新,王东红,陈伟平,王蔚,兰慕杰,王喜莲,于杰,
来源：哈尔滨工业大学学报 年份：2003
为了制备体积小重量轻的可用于航天方面的微型磁传感器,用微机械加工方法制备了微型磁通门芯片. 重点研究用蒸镀和掩膜电铸两种途径制备微型磁通门磁芯的工艺,研究了不同电铸...
[期刊论文] 作者：鲍海飞,叶水驰,兰慕杰,袁保红,何代义,周士仁,王骐,
来源：半导体学报 年份：1998
对以Ｓｅ为基的非晶半导体材料的应用作以简单的回顾．利用热蒸发的方法制备了单层的Ｓｅ、Ｓｂ膜、含Ｓｂ的Ｓｅ膜以及Ｓｂ／Ｓｅ双层薄膜．利用Ｘ射线衍射技术分析了薄膜退火前后的晶化特性，用光学显微镜观察了薄......
[期刊论文] 作者：李兴冀,兰慕杰,刘超铭,杨剑群,孙中亮,肖立伊,何世禹,,
来源：物理学报 年份：2013
本文采用低能电子辐照源对NPN及PNP晶体管进行辐照试验.在辐照试验过程中,针对NPN及PNP晶体管发射结施加不同的偏置条件,研究偏置条件对NPN及PNP晶体管辐射损伤的影响.使用Ke...
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