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[期刊论文] 作者：关郑平,,
来源：发光快报 年份：1988
在ZnSe/(Zn、Mn)Se量子阱材料中加入中等强度的电场可以产生明显的复合激子发光的光谱位移。这表明在这个异质结构中限制作用可以有效地增加激子的离化阈值。在低温和外界高...
[期刊论文] 作者：杨宝钧,关郑平,
来源：稀有金属 年份：1993
在77K 下用氮分子激光器的337.1nm 谱线激发常压 MOCVD 法生长的 ZnTe 外延膜得到了与自由激子有关的发射。在不同衬底 CaF_2、BaF_2及 GaAs 上其同一机理发光的峰值位置不同...
[期刊论文] 作者：关郑平,范广涵,
来源：稀有金属 年份：1994
利用常压ＭＯＣＶＤ系统在透明衬底ＣａＦ２上生长了ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格，研究了低密度激发下该结构在不同温度下的光学性质，对光谱中出现的多个发光体进行了分析。...
[期刊论文] 作者：范广涵,关郑平,
来源：人工晶体学报 年份：1990
本文首次报导以常压 MOCVD 法,用二甲基锌、硒化氢、硫化氢为源,在砷化镓衬底上外延生长 ZnSe/ZnS_XSe_(1-X) 应变层超晶格结构。讨论了气相组分对外延层组分的影响。用 X 射...
[期刊论文] 作者：郑著宏,关郑平,
来源：发光学报 年份：1997
ｎ＝１重空穴激子和施主－受主对的光致发光在常压ＭＯＣＶＤ生长的Ｚｈ０．８５ ＣＤ０．１５Ｓｅ－ＺｎＳｅ应变超晶格中被观测到了。激子和施主－受主对发光峰值位置随着增加正向领导置电压都相继产生蓝移和红移。这是由量子限制斯塔......
[期刊论文] 作者：郑著宏,关郑平,
来源：发光学报 年份：1994
在室温，随着增加入射光强，我们首次在ＺｎＳｅ／ＺｎＳ平板被导中观测到由于“带填充”效应而引起的全光调制和由于施加电场而引起的电光调制特性．...
[期刊论文] 作者：郑著宏,关郑平,
来源：光谱学与光谱分析 年份：1998
本文报道利用光波导方法在ＧａＡｓ衬底上制备的Ⅱ－Ⅵ族半导体单晶薄膜和超晶格中所观测到的光学吸收，光学非线性和瞬态光学双稳的实验结果。...
[期刊论文] 作者：郑著宏,关郑平,
来源：发光学报 年份：1997
本文用ＭＯＣＶＤ技术在ＧａＡＳ衬底上成功地制备了具有波导结构的Ｚｎ０．８Ｃｄ０．２Ｓｅ－ＺｎＳｅ应变层超晶格样品，在７７Ｋ温度的发致发光光光谱中观测ｎ＝１的重空穴和轻空穴激子的辐射复合。......
[期刊论文] 作者：关郑平,范广涵,
来源：发光学报 年份：1992
本文报导了利用常压MOCVD法制备窄阱ZnSe·ZnS应变多量子阱的方法,经X射线衍射、光致发光(PL)及扫描电镜(SEM)实验测定表明,该结构具有较好的结晶质量,阱宽约为0.5nm。...
[期刊论文] 作者：杨宝钧,关郑平,吕有明,
来源：稀有金属 年份：2004
在77K 下用氮分子激光器的337.1nm 谱线激发常压 MOCVD 法生长的 ZnTe 外延膜得到了与自由激子有关的发射。在不同衬底 CaF_2、BaF_2及 GaAs 上其同一机理发光的峰值位置不同...
[期刊论文] 作者：关郑平,范广涵,范希武,
来源：发光学报 年份：1992
本文报导了利用常压MOCVD法制备窄阱ZnSe·ZnS应变多量子阱的方法,经X射线衍射、光致发光(PL)及扫描电镜(SEM)实验测定表明,该结构具有较好的结晶质量,阱宽约为0.5nm。In t...
[期刊论文] 作者：郑著宏,关郑平,范希武,
来源：光谱学与光谱分析 年份：1998
本文报道利用光波导方法在ＧａＡｓ衬底上制备的Ⅱ—Ⅵ族半导体单晶薄膜和超晶格中所观测到的光学吸收、光学非线性和瞬态光学双稳的实验结果。The experimental results of optica...
[期刊论文] 作者：李梅,葛中久,关郑平,范希武,
来源：发光学报 年份：1996
本文报导了用计算机控制的衍射仪（ＣｕＫα辐射）测量的金属有机化学汽相沉淀（ＭＯＣＶＤ）方法生长的Ⅱ－Ⅵ族应变层超晶格的Ｘ射线衍射曲线，观察到了超晶格结构的多级卫星峰，且卫星峰的强度随角度呈周期......
[期刊论文] 作者：关郑平,范广涵,宋世惠,范希武,
来源：半导体学报 年份：1991
本文研究了ZnSe_(1-x)S_x-ZnSe应变超晶格结构在77K时自由激子的光致发光的线型随激发光密度、势阱涨落、势垒高度的涨落及各层厚对超晶格发光峰E_(?)的影响,并利用Kronig-Pe...
[期刊论文] 作者：关郑平,范广涵,吕有明,范希武,
来源：稀有金属 年份：1994
利用常压ＭＯＣＶＤ系统在透明衬底ＣａＦ＿２上生长了ＺｎＳｅ－ＺｎＳ应变超晶格。研究了低密度激发下该结构在不同温度下的光学性质，对光谱中出现的多个发光体进行了分析。The ZnSe-ZnS strained superlattice......
[期刊论文] 作者：郑著宏,关郑平,张吉英,范希武,
来源：发光学报 年份：1996
电场调制下Ｚｎ＿（０．８５）Ｃｄ＿（０．１５）Ｓｅ－Ｚｎｓｅ应变层超晶格的受激发射郑著宏，关郑平，张吉英，范希武（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）（中国科学院激发态物理开放研究实验室，长春１３００２１）近几年，随着Ⅱ－Ⅵ族宽禁带半导体二极.........
[期刊论文] 作者：郑著宏,关郑平,陈连春,范希武,姜锦秀,
来源：发光学报 年份：1994
在室温，随着增加入射光强，我们首次在ＺｎＳｅ／ＺｎＳ平板被导中观测到由于“带填充”效应而引起的全光调制和由于施加电场而引起的电光调制特性．At room temperature, with the increase of......
[期刊论文] 作者：郑著宏,关郑平,张吉英,申德振,范希武,
来源：发光学报 年份：1997
ｎ＝１重空穴激子和施主－受主（Ｄ－Ａ）对的光致发光在常压ＭＯＣＶＤ生长的Ｚｎ０．８５Ｃｄ０．１５Ｓｅ－ＺｎＳｅ应变超晶格中被观测到了．激子和施主－受主对发光峰值位置随着增加正向偏置电压都相继产生蓝移和红移．这是由量子限制斯塔克效应引......
[期刊论文] 作者：关郑平,范广涵,范希武,宋世惠,葛中久,李梅,
来源：人工晶体 年份：1988
ZnSe 是直接带跃迁型宽禁带化合物半导体,具有较大的电光常数和光学非线性特性,但是在制备光双稳器件腐蚀窗口时,很难找到象 Ⅲ-Ⅴ 族材料那样有选择的腐蚀液。因此寻找合适...
[期刊论文] 作者：吕有明,陈连春,关郑平,杨爱华,杨宝均,范希武,
来源：红外与毫米波学报 年份：1993
研究了常压MOCVD方法生长在GaAs(100)衬底上的ZnTe-ZnS应变超晶格光学性质。在77K温度下观测到了与载流子有关的带间跃迁复合。随着激发密度增加,高能子能带上的载流子参与发...
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