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[学位论文] 作者：冯佳涵,,
来源：复旦大学 年份：2011
本文低温制备了以铟锌氧化物(IZO)为沟道层、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为介质层的薄膜晶体管。由反应直流磁控溅射法沉积无机IZO沟道层,浸渍提拉法制备有机PMMA介质层,真空热蒸...
[会议论文] 作者：冯佳涵;张群;,
来源：2010中国平板显示学术会议 年份：2010
利用有机介质层制各项栅结构的氧化铟锌薄膜晶体管(IZO-TFT)。由直流反应磁控溅射法室温沉积IZO沟道层，浸渍提拉法制备聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)介质层，热蒸发法制备Al电极。所制...
[期刊论文] 作者：李桂锋,冯佳涵,周俊,张群,,
来源：液晶与显示 年份：2010
利用直流磁控溅射方法在玻璃基板上室温制备非晶铟锌氧化物半导体薄膜，薄膜表面平整。采用旋涂法室温制备聚四乙烯苯酚有机介质层。以铟锌氧化物薄膜作为沟道层、聚四乙烯苯酚......
[期刊论文] 作者：冯佳涵,杨铭,李桂锋,张群,,
来源：真空 年份：2008
采用反应直流磁控溅射法制备了掺钨氧化铟(In2O3:W,IWO)透明导电氧化物薄膜。薄膜中掺杂的钨离子与被替代的铟离子之间存在高价态差。与相同电阻率的ITO(In2O3:Sn)相比,IWO薄...
[会议论文] 作者：李桂锋,周俊,冯佳涵,杨铭,黄延伟,张群,
来源：第六届全国暨华人有机分子和聚合物发光与激光学术会议 年份：2009
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