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[学位论文] 作者：冯申艳,,
来源：北京邮电大学 年份：2018
最近几十年,半导体芯片集成化、微型化的发展趋势极大地促进了信息技术产业的进步。电子信息系统功能的每一次更新升级、半导体技术的每一种变革创新,都会从性能方面对电子器...
Tunneling field effect transistors based on in-plane and vertical layered phosphorus heterostructure
[期刊论文] 作者：冯申艳,张巧璇,杨洁,雷鸣,屈贺如歌,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
Tunneling field effect transistors(TFETs) based on two-dimensional materials are promising contenders to the traditional metal oxide semiconductor field effect...
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