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[学位论文] 作者：刘兴昉,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2007
本论文以4H-SiC和3C-SiC为研究主题，分别就4H-SiC薄膜同质外延工艺、原位p型掺杂工艺以及2英寸Si衬底上3C-SiC薄膜异质外延工艺进行了探索，并设计和制备了基于4H-SiC同质结构的...
[学位论文] 作者：刘兴昉,
来源：中南大学 年份：2004
C／C复合材料具有质轻、耐高温等一系列优点，但是抗氧化性差，耐冲刷能力较低，这些固有缺陷限制了它在高温场合下的实际应用。对C／C复合材料进行涂层防护是一种重要的解决方案。SiC......
[期刊论文] 作者：刘兴昉,陈宇,,
来源：新材料产业 年份：2015
碳化硅半导体(这里指4H-Si C)是新一代宽禁带半导体,它具有热导率高(比硅高3倍)、与Ga N晶格失配小(4%)等优势,非常适合用作新一代发光二极管(LED)衬底材料[1]、大功率电...
[会议论文] 作者：黄启忠,刘兴昉,苏哲安,
来源：第六届全国新型炭材料学术研讨会 年份：2003
采用化学气相反应法在C/C复合材料表面制备了SiC涂层.用工业硅块(Si)和辅助剂(SiO)在高温、惰性气氛中与C/C复合材料进行气相反应,从而在试样表面获得一层致密的SiC涂层,其厚度可达0.4mm.扫描电镜分析表明,SiC产物呈递度分布,同时可观测到经最优工艺制备的涂层......
[期刊论文] 作者：刘兴昉, 黄启忠, 苏哲安, 蒋建献,,
来源：硅酸盐学报 年份：2004
采用化学气相反应法,以3种不同工艺在C/C复合材料表面制备了SiC涂层,并检测了其抗氧化性能.以工业用Si和辅助剂SiO2为原料,在高温、惰性环境中反应产生SiO蒸气,将其引入反应...
[期刊论文] 作者：蒋建献,易茂中,葛毅成,冯一雷,刘兴昉,
来源：炭素技术 年份：2004
采用包埋法制备 C/C复合材料抗氧化 MoSi2/SiC梯度涂层,同时对抗氧化涂层的形成、组织结构以及抗氧化性能与渗料的关系和抗氧化机理进行了研究.结果表明:采用包埋法制备的 C/...
[会议论文] 作者：王亮,宁瑾,孙国胜,刘兴昉,赵永梅,赵万顺,王雷,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
提出了一种采用表面微加工技术制作叉指状多晶3C-SiC横向谐振器的制作方案。利用氧化硅材料作为器件结构的隔离层和牺牲层，并在氧化硅上异质沉积生长2微米厚的多晶SiC材料...
[会议论文] 作者：王亮,赵万顺,宁瑾,孙国胜,刘兴昉,王雷,赵永梅,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
提出了一种采用表面微加工技术制作叉指状多晶3C-SiC横向谐振器的制作方案。利用氧化硅材料作为器件结构的隔离层和牺牲层，并在氧化硅上异质沉积生长2微米厚的多晶SiC材料，在大气环境下，采用光学MEMS动态分析设备，成功测量了不同尺寸谐振器的工作情况，器件的谐振频率......
[期刊论文] 作者：孙国胜,王雷,巩全成,高欣,刘兴昉,曾一平,李晋闽,
来源：人工晶体学报 年份：2005
本文报道用在Si台面及热氧化SiO2衬底上3C-SiC薄膜的LPCVD生长,反应生长使用的气体为SiH4和C2H4,载气为H2,采用光学显微镜、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜...
[期刊论文] 作者：袁超,关敏,张杨,李弋洋,刘兴昉,刘爽杰,曾一平,,
来源：发光学报 年份：2017
研究了不同温度下几种结构的有机电致发光器件（OLED）的瞬态电致发光响应特性以及电流密度-电压-亮度特性。研究发现,启亮电压随温度升高而减小的加速度在200 K时出现拐点,且这...
[期刊论文] 作者：赵永梅,孙国胜,宁瑾,刘兴昉,赵万顺,王雷,李晋闽,
来源：半导体学报 年份：2004
采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和台面组成,其中沟槽宽度为1～10μm不同间隔,沟...
[期刊论文] 作者：纪刚,孙国胜,刘兴昉,王雷,赵万顺,曾一平,李晋闽,,
来源：半导体学报 年份：2009
Epitaxial growth on n-type 4H-SiC 8°off-oriented substrates with a size of 10×10 mm2 at different temperatures with various gas flow rates has been performed...
[期刊论文] 作者：赵永梅,孙国胜,宁瑾,刘兴昉,赵万顺,王雷,李晋闽,,
来源：半导体学报 年份：2008
采用低压化学气相沉积方法在无掩模的硅图形衬底上异质外延生长3C-SiC.硅图形衬底采用光刻和ICP刻蚀得到.图形由平行长条状沟槽和台面组成,其中沟槽宽度为1~10μm不同间隔,沟...
[期刊论文] 作者：闫果果, 孙国胜, 吴海雷, 王雷, 赵万顺, 刘兴昉, 董林,,
来源：半导体光电 年份：2011
...
[期刊论文] 作者：刘兴昉, 闫果果, 桑玲, 郑柳, 钮应喜, 王嘉铭, 张峰,,
来源：智能电网 年份：2017
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[会议论文] 作者：闫果果,张峰,刘兴昉,王雷,赵万顺,孙国胜,曾一平,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
第三代宽禁带半导体材料碳化硅(SiC)具有击穿电场高、电子饱和迁移率高、热导率高、耐腐蚀等优良的物理化学特性,非常适合于制作高温、高频、大功率器件,在航空航天、电动汽车、智能电网、太阳能与风力发电等领域具有广泛的应用前景[1,2].为了推广SiC器件在高压......
[期刊论文] 作者：孙国胜,宁瑾,高欣,攻全成,王雷,刘兴昉,曾一平,李晋闽,
来源：人工晶体学报 年份：2005
利用台阶控制外延生长技术在偏晶向Si-面衬底上进行了4H-SiC的同质外延生长研究,衬底温度为1500℃,在厚度为32μm、载流子浓度为2～5×1015cm-3的外延材料上制备出了反向阻...
[期刊论文] 作者：吴海雷,孙国胜,杨挺,闫果果,王雷,赵万顺,刘兴昉,温家良,,
来源：半导体学报 年份：2011
A P-layer can be formed on a SiC wafer surface by using multiple Al ion implantations and post-implantation annealing in a low pressure CVD reactor.The Al depth...
[期刊论文] 作者：李家业,赵永梅,刘兴昉,孙国胜,罗木昌,王雷,赵万顺,曾一平,
来源：半导体学报 年份：2007
利用新改进的水平低压热壁CVD设备，改变生长时的压力和H2流速，在50mm的Si（100）和（111）衬底上获得了3C-SiC外延膜，并对外延膜的结构均匀性、电学均匀性和厚度均匀性进行了分析．X射线衍......
[期刊论文] 作者：刘兴昉,孙国胜,李晋闽,赵永梅,宁瑾,王雷,赵万顺,罗木昌,,
来源：半导体学报 年份：2007
制备了4种具有不同光窗口台面结构的4H-SiC紫外探测器#1,#2,#3和#4,并分别测试它们的紫外光响应谱.器件制备在4H-SiC同质外延层上,台面为垂直结构,其中探测器#1光窗口区由透...
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