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[期刊论文] 作者：刘凡宇,
来源：经济视野 年份：2014
依据证监会的披露,截止2013年6月30日,中国的上市公司已达2491家,这2491家上市公司的总交易收入高达212813亿元人民币,是我国2012年全国生产总值的40%.由此可以看出,我国的证...
[期刊论文] 作者：刘凡宇,
来源：现代经济信息 年份：2014
摘要：全世界的气候渐渐开始变暖，北冰洋的海平面日益上升，太平洋，北冰洋，大西洋等各个海域的岛国都在为自己的领土会因为海平面的上升而逐渐淹没的时候。为了避开欲加之罪的碳关税的贸易壁垒，约束我国的进出口商业贸易，防治我国尤其以北方雾霾为代表的恶劣环境污染，调节......
[学位论文] 作者：刘凡宇,
来源：国防科学技术大学 年份：2018
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[期刊论文] 作者：梁斌,刘凡宇,刘衡竹,
来源：新型工业化 年份：2004
基于3D混合模拟，研究了180nm CMOS工艺下了温度对SET脉冲的影响。研究发现，温度对数字SET有重要影响。使用60MeV cm2/mg的LET，当温度从-55℃增加到125℃时，数字SET脉冲宽度显著增...
[期刊论文] 作者：刘衡竹,刘凡宇,刘必慰,梁斌,,
来源：国防科技大学学报 年份：2011
基于3维TCAD器件模拟,研究了90nm CMOS双阱工艺下STI对电荷共享的影响。研究结果表明：增大STI深度能有效抑制NMOS电荷共享,且550nm为抑制电荷共享的有效深度,超过这个深度收集...
[会议论文] 作者：刘凡宇,刘衡竹,刘必慰,梁斌,
来源：第十四届计算机工程与工艺会议(NCCET'10) 年份：2010
基于3维TCAD器件模拟,研究了90nm CMOS双阱工艺下相邻器件不同版图形式对电荷共享的影响.研究结果表明:对NMOS而言,从器件漏极离轰击位置越近电荷共享越严重;对PMOS而言,从器...
[会议论文] 作者：刘凡宇,刘衡竹,刘必慰,梁斌,
来源：湖南省第三届研究生创新论坛——信息与控制工程的新理论和新技术分论坛 年份：2010
基于3 维TCAD 器件模拟，研究了90nm CMOS 双阱工艺下相邻器件不同版图形式对电荷共享的影响. 研究结果表明：对NMOS 而言，从器件漏极离轰击位置越近电荷共享越严重；对PMOS而言，从器......
[期刊论文] 作者：王荣伟,范国芳,李博,刘凡宇,
来源：半导体技术 年份：2021
为了研究硅通孔(TSV)转接板及重离子种类和能量对3D静态随机存储器(SRAM)单粒子多位翻转(MBU)效应的影响,建立了基于TSV转接板的2层堆叠3D 封装SRAM模型,并选取6组相同线性能...
[期刊论文] 作者：刘凡宇,刘衡竹,刘必慰,梁斌,陈建军,,
来源：物理学报 年份：2011
基于3维TCAD器件模拟,研究了90nmCMOS双阱工艺下p+深阱掺杂对电荷共享的影响.研究结果表明:改变p+深阱的掺杂浓度对PMOS管之间的电荷共享的影响要远大于NMOS管;通过增加p+深...
An analytical model for nanowire junctionless SOI Fin FETs with considering three-dimensional coupli
[期刊论文] 作者：刘凡宇,刘衡竹,刘必慰,郭宇峰,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
In this paper, the three-dimensional(3D) coupling effect is discussed for nanowire junctionless silicon-on-insulator(SOI) Fin FETs. With fin width decreasing fr...
An analytical model for nanowire junctionless SOI Fin FETs with considering three-dimensional coupli
[期刊论文] 作者：刘凡宇,刘衡竹,刘必慰,郭宇峰,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
In this paper, the three-dimensional(3D) coupling effect is discussed for nanowire junctionless silicon-on-insulator(SOI) Fin FETs. With fin width decreasing from 100 nm to 7 nm, the electric field in...
[期刊论文] 作者：王国庆,张晋敏,吴次南,谢泉,刘凡宇,李博,杨静琦,
来源：半导体技术 年份：2021
研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE)。通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出特性的影响。仿真结果显示DSOI NMOSFET的背栅引出结构形成了额外的散热通道。重点研究了器件电压和环境温度对SHE的影响,结果表明......
[期刊论文] 作者：张峰源,李博,刘凡宇,杨灿,黄杨,张旭,罗家俊,韩郑生,
来源：微电子学 年份：2020
全面综述鳍式场效应晶体管(FinFET)的总剂量效应,包括辐照期间外加偏置、器件的工艺参数、提高器件驱动能力的特殊工艺、源/漏掺杂类型以及不同栅介质材料和新沟道材料与FinF...
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