搜索筛选:
搜索耗时0.0926秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 48 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：劳燕锋,,
来源：中国科学院研究生院（上海微系统与信息技术研究所） 年份：2007
垂直腔面发射激光器（Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser，VCSEL）是光纤通信系统中应用的重要光源之一，1310nm VCSEL器件能够满足当前大容量、千兆比特速率城域网的需求。然...
[期刊论文] 作者：劳燕锋,吴惠桢,
来源：稀有金属 年份：2004
采用有效质量模型下的4×4 Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn1-xAs/In0.80Ga0.20As0.44P0.56/InP量子阱结构进行了能带计算,求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的...
[期刊论文] 作者：劳燕锋,吴惠桢,
来源：物理学报 年份：2004
通过对直接键合InP-GaAs结构的红外吸收光谱分析以及断面扫描电子显微镜观察发现,样品制备过程中不均匀的外加压强导致InP-GaAs交界面局部出现了不连续过渡的空间层,实验上将...
[期刊论文] 作者：吴惠桢,黄占超,劳燕锋,
来源：半导体学报 年份：2005
采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技...
[会议论文] 作者：吴惠桢,黄占超,劳燕锋,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
本文报道了采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP基衬底上生长发光波长为1.31μm的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱和在GaAs衬底上生长GaAs/AlGaAs分布布拉格反射镜(DBR),并用直接键合技术将生长在InP基上的InAsP/InGaAsP应变补偿多量子阱结构组装到GaAs衬底上......
[期刊论文] 作者：刘成,曹春芳,劳燕锋,吴惠桢,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2011
研究了广泛应用于垂直腔面发射激光器（VCSEL）等Ⅲ-Ⅴ族光电子器件制作的侧向腐蚀技术。分别采用C6H807：H2O2溶液、HCl：H3PO4溶液对InAlAs材料、InP材料进行了侧向腐蚀试验，获得了...
[期刊论文] 作者：吴惠桢，黄占超，劳燕锋，WuHuizhen，HuangZha,
来源：城市道桥与防洪 年份：2005
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：谢正生, 吴惠桢, 劳燕锋, 刘成, 曹萌,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2007
系统阐述了金属键合的发展概况、基本工艺和方法、表征技术及其在光电器件中的应用。金属键合制备光电器件的一般工艺流程分为三步:蒸镀金属薄膜、键合、腐蚀去除衬底,列举了...
[期刊论文] 作者：谢正生,吴惠桢,劳燕锋,刘成,曹萌,,
来源：金属学报 年份：2007
研究了Au-In-Au低温金属键合技术,并把它应用到长波长垂直腔面发射激光器（VCSEL）器件结构的制作中.利用该技术不仅有利于提升器件的热学性能,而且有利于提高VCSEL结构中分布Bra...
[期刊论文] 作者：谢正生,吴惠桢,劳燕锋,刘成,曹萌,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2007
采用气态源分子束外延（GSMBE）技术优化生长了GaAs／AlAs分布布拉格反射镜（DBR）材料，并用X射线衍射（XRD）及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明，采用5S间断生长的GaAs／AlAs DBR材料......
[期刊论文] 作者：曹萌,吴惠桢,劳燕锋,刘成,谢正生,,
来源：光学学报 年份：2007
为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AlGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀...
[期刊论文] 作者：曹萌,吴惠桢,劳燕锋,刘成,谢正生,,
来源：光学学报 年份：2007
为了分析干法刻蚀对应变多量子阱(SMQWs)发光特性的影响,采用感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长的InGaN/AIGaN应变多量子阱覆盖层表面刻蚀...
[期刊论文] 作者：吴惠桢, 刘成, 劳燕锋, 黄占超, 曹萌,,
来源：江西科学 年份：2005
采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在(100)InP衬底上分别了生长了δ掺杂的p+-AlInAs-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学...
[期刊论文] 作者：刘成, 吴惠桢, 劳燕锋, 黄占超, 曹萌,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2005
采用气态源分子束外延(GSMBE)技术在InP(100)衬底上生长了InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱为有源层和InP/InGaAsP分布布拉格反射镜(DBR)为上、下腔镜的垂直腔面发射激光器(VCSEL...
[期刊论文] 作者：刘成,曹春芳,劳燕锋,曹萌,吴惠桢,,
来源：半导体光电 年份：2007
简要叙述了欧姆接触工艺在长波长垂直腔面发射激光器（VCSEL）制作中的重要作用。采用圆环传输线方法（CTLM）研究了应用于长波长VCSEL结构的P型InGaAsP和InP材料与Ti—Au的接触特性，...
[期刊论文] 作者：黄占超,吴惠桢,劳燕锋,刘成,曹萌,
来源：半导体学报 年份：2006
采用X射线衍射三轴二维倒空间衍射图研究了InP(100)衬底上分子束外延生长的压应变InAsP材料和张应变InGaAsP材料.实验测定了两种材料的(004)面、(224)面的倒空间衍射图,得到...
[期刊论文] 作者：劳燕锋,吴惠桢,黄占超,刘成,曹萌,
来源：半导体学报 年份：2006
采用直接键合方法制备了法布里-珀罗共振微腔结构,并用传输矩阵方法对其反射光谱进行了理论模拟.通过构造键合界面两侧多层薄膜材料的光学厚度呈现指数规律变化的模型,分析了...
[期刊论文] 作者：刘成,吴惠桢,劳燕锋,黄占超,曹萌,
来源：半导体学报 年份：2006
采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p+-AlIn-As-n+-InP和p+-InP-n+-InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现...
[期刊论文] 作者：刘成,曹春芳,劳燕锋,曹萌,吴惠桢,,
来源：半导体学报 年份：2008
采用离子注入方法和后续的退火工艺制作了1.3μm面发射电致发光（EL）器件结构的电流限制孔径,通过对此结构的电学和光学特性进行测试分析,获得了离子注入和退火温度的优化参数,...
[期刊论文] 作者：刘成,曹春芳,劳燕锋,曹萌,吴惠桢,,
来源：光电子.激光 年份：2008
研究了采用不同溶液制作InP／空气隙的侧向腐蚀工艺，对腐蚀速率、晶向选择性、表面形貌进行了分析；研究了粘附释放工艺；在上述基础上制作完成了InP／空气隙结构，并采用微拉曼光谱来分......
相关搜索：
