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[期刊论文] 作者：叶宇达,朱育平,
来源：实验技术与管理 年份：2003
光路校正是X射线衍射仪最重要的调试。本文详细介绍了如何在一种国产控制软件上校正国内广泛使用的D max— 3系列和D max—r系列进口X射线衍射仪测角计的光路。Optical pat...
[期刊论文] 作者：叶宇达,朱育平,
来源：实验室研究与探索 年份：2003
详细论述了一种进口大功率X射线衍射仪冷却水检测系统的工作原理,常见故障的发生原因和检修方法....
[期刊论文] 作者：朱育平,叶宇达,
来源：应用化学 年份：1996
用ＷＡＸＤ和ＳＡＸＳ研究交联１，４－顺式聚丁二烯的取向结晶。结果表明：该试样在拉伸状态时，形成折叠链片晶，而不是伸直链纤维晶。片晶之间断产生新的片晶，使长周期减小，并且片晶的横向尺寸不断增大，由此......
[期刊论文] 作者：侯麦花, 朱文元, 卢新政, 叶宇达,,
来源：临床皮肤科杂志 年份：2006
患者男,42岁。因面部及颈部红斑、结节伴破溃3年就诊。患者20年前因爆破石头而伤及面部,不久面部伤口完全愈合。3年前在原外伤部位出现红斑、结节,伴有破溃,自觉症状不明显。...
[期刊论文] 作者：赵少奇,康琳,吴培亨,叶宇达,,
来源：低温物理学报 年份：2006
我们用射频磁控溅射方法，在Si（100）单晶衬底上生长MgO薄膜，借助X射线衍射（XRD）分析发现，我们获得了两种不同晶体结构的MgO薄膜，分别是常规的晶格常数为0．421nm的MgO薄膜和晶格常数为0．8......
[期刊论文] 作者：仇熙, 贾晓斌, 叶宇达, 陈廉, 孔令东,,
来源：中药材 年份：2003
目的:建立复方人参注射液的粉末X-射线衍射指纹图谱.方法:采用粉末X-射线衍射衍射法测定药材、中间体和注射液的衍射图谱,对所得到的图谱进行特征峰指认和对比分析,获得各自...
[期刊论文] 作者：朱育平,叶宇达,翟红莲,余学海,杨昌正,
来源：高分子学报 年份：1995
用小角Ｘ射线散射研究了嵌段聚氨酯阴离子离聚物中不同离子化程度对离子聚集体形态结构的影响，结果表明：离子含量少是，主要以非聚集离子或多重离子对的形式存在；离子含量多时，主要以......
[期刊论文] 作者：叶秉如, 董增川, 许静仪, 陈乐湘, 叶宇达,
来源：河海大学学报：自然科学版 年份：2005
利用线性规划新解法--分解筛选法的解题特点,对线性规划实际存在的多重解问题进行分析,提出了多重解的两大类型,即相似性重解(又称重解Ⅰ型)和无关性重解(又称重解Ⅱ型),研究...
[会议论文] 作者：朱育平, 唐少龙, 王敦辉, 叶宇达, 章建荣, 都有为,,
来源： 年份：2004
磁性材料是材料科学领域中一类重要的材料。众所周知,材料微结构对其性能起到至关重要作用。材料的相成分、晶粒大小及其分布、晶界结构等都会影响材料的磁性能。多相材...
[期刊论文] 作者：修向前,张荣,李杰,卢佃清,毕朝霞,叶宇达,俞慧强,郑有炓,
来源：半导体学报 年份：2003
在氢化物气相外延(HVPE)生长GaN过程中，发现了一种在成核阶段向生长区添加额外HCl来改善GaN外延薄膜质量的方法，并且讨论了额外HCl和氮化对GaN形貌和质量的影响．两种方法都可以...
[期刊论文] 作者：俞慧强,李斌斌,张荣,修向前,谢自力,叶宇达,张孟群,陈强,沈剑沧,,
来源：光学学报 年份：2009
利用拉曼(Raman)光谱对掺镍(Ni)氧化锌(ZnO)粉末的声子谱进行了研究.在掺杂样品的Raman光谱中仍能观察到未掺杂ZnO的声子模式,此外还观察到两个额外模式.掺杂粉末中观察到ZnO...
[期刊论文] 作者：李琴,傅泽禄,吉争鸣,冯一军,康琳,杨森祖,吴培亨,王晓书,叶宇达,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2002
We have experimentally studied the surface modifications of Y-Ba-Cu-O (YBCO) thin films using CF4plasma. The intensity of the plasma fluorination was controlled...
,GaN Growth with Low-Temperature GaN Buffer Layers Directly on Si(111) by Hydride Vapour Phase Epita
[期刊论文] 作者：YU Hui-Qiang(俞慧强),CHEN Lin(陈琳),ZHANG Rong(张荣),XIU Xiang-Qian(修向前),XIE Zi-Li(谢自力),YE Yu-Da(叶宇达),GU Shu-Lin,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2004
GaN films are grown on Si(111) with low-temperature GaN (LT-GaN) layers as buffer layers by hydride vapour phase epitaxy (HVPE). The deposition temperature of t...
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