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[期刊论文] 作者：叶松芳,,
来源：稀有金属 年份：2005
研究了用HP 4500型 ICP-MS方法分析半导体用浓氢氟酸中的痕量杂质.在半导体业,所用试剂要求在10 ng·ml-1级.采用样品直接稀释法,在优化的实验条件下,采用HP 4500型ICP-M...
[学位论文] 作者：叶松芳,
来源：北京有色金属研究总院 年份：2000
该文从射频功率、气流量、离子透镜电位、样品提升率等方面,采用单因素法优化仪器工作状态和操作参数.选用混合酸、碱合理解决了难熔金属的溶样问题.选择合适的是介质浓度,充...
[会议论文] 作者：叶松芳,
来源：第七届全国青年分析测试学术报告会 年份：2002
本文用HP ICP-MS 4500型电感耦合等离子质谱仪,采用冷等离子体方法,用屏蔽炬成功分析了高纯HNO3中包括Fe在内的10多种痕量金属杂质,最低可检测1ppt的钠离子,测定的相对标准偏差(RSD)小于6％,加标回收率为87.1％～100.7％,获得好的结果,方法准确、稳定,且操作简便、快速.......
[期刊论文] 作者：叶松芳,吴辛友,
来源：现代科学仪器 年份：2000
研究了难熔金属Ｚｒ中痕量杂质的ＩＣＰ－ＭＳ分析方法，系统考察了ＩＣＰ－ＭＳ中介质影响，多原子离子干扰，其体影响及不内标的校正作用等，并试验了难熔金属Ｚｒ的消解方法，设定了最佳工作参数，标准加入回收率为（１００......
[期刊论文] 作者：叶松芳,吴辛友,
来源：稀有金属 年份：2000
综述了ＩＣＰ－ＭＳ分析技术的起源，现状和最新进展。简单介绍了ＩＣＰ－ＭＳ技术的特点，干扰问题及其克服方法等，阐述了ＩＣＰ－ＭＳ的应用状况，并重点说明了ＩＣＰ－ＭＳ在稀有难熔金属分析方面的应用。......
[期刊论文] 作者：叶松芳,吴辛友,姚建明,
来源：稀有金属 年份：2000
综述了ＩＣＰＭＳ分析技术的起源、现状和最新进展， 简单介绍了ＩＣＰＭＳ技术的特点、干扰问题及其克服方法等， 阐述了ＩＣＰＭＳ的应用状况， 并重点说明了ＩＣＰＭＳ在稀有难熔金属分析方面的应用。This pape......
[期刊论文] 作者：叶松芳,吴辛友,姚建明,刘湘生,
来源：现代科学仪器 年份：2000
研究了难熔金属Zr中痕量杂质的ICP_MS分析方法 ,系统考察了ICP_MS中介质影响 ,多原子离子干扰 ,基体影响及不同内标的校正作用等 ,并试验了难熔金属Zr的消解方法 ,设定了最佳...
[期刊论文] 作者：叶松芳, 黎龙辉, 王君玲, 李融武, 程琳, 鲁帅,
来源：中国稀土学报 年份：2014
...
[期刊论文] 作者：党宇星, 徐继平, 刘斌, 叶松芳, 肖清华, 闫志瑞, 石,
来源：电子工业专用设备 年份：2012
对于评价用于极大规模集成电路(ULSI)生产的300 mm硅抛光片的表面质量,需要关注两个关键参数即:SFQR和GBIR。在中国电子科技集团第四十五研究所研发的中国第一台最终化学精密...
[期刊论文] 作者：党宇星,徐继平,刘斌,叶松芳,肖清华,闫志瑞,石瑛,张果虎,,
来源：电子工业专用设备 年份：2012
对于评价用于极大规模集成电路（ULSI）生产的300mm硅抛光片的表面质量，需要关注两个关键参数即：SRQR和GBIR。在中国电子科技集团第四十五研究所研发的中国第一台最终化学精密抛光......
[期刊论文] 作者：党宇星,徐继平,刘斌,叶松芳,肖清华,闫志瑞,石瑛,张果虎,周旗,
来源：电子工业专用设备 年份：2020
...
[期刊论文] 作者：党宇星,徐继平,刘斌,叶松芳,肖清华,闫志瑞,石瑛,张果虎,周旗钢,柳滨,郭强生,王东辉,,
来源：电子工业专用设备 年份：2012
对于评价用于极大规模集成电路（ULSI）生产的300mm硅抛光片的表面质量，需要关注两个关键参数即：SRQR和GBIR。在中国电子科技集团第四十五研究所研发的中国第一台最终化学精密抛光......
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