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[会议论文] 作者：叶红飞;高玉芝;张广勤;宁宝俊;莫邦燹;罗葵;张利春;,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文研究了掺磷双层多晶硅RCA器件和电路的制备工艺及其温度特性.在工艺中采用了自对准双极结构,人为生长RCA超薄氧化层,并用快速热退火处理RCA氧化层.研制的多晶硅发射区RCA...
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