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[期刊论文] 作者：张小玲,谢雪松,吕长治,李岩,李鹏,冯士维,李志国,
来源：微电子学与计算机 年份：2004
研究了AIGaN／GaN HEMT器件在室温、100℃、200℃和300℃下的工作性能。当栅长为1μm时，器件的最大漏源电流和非本征跨导在室温下的数值为1．02A／mm和230mS／mm。温度升高到100℃时几...
[期刊论文] 作者：张小玲, 吕长治, 谢雪松, 李志国, 曹春海, 李拂晓,,
来源：半导体学报 年份：2003
介绍了AlGaN/GaNHEMT器件的研制及室温下器件特性的测试 .漏源欧姆接触采用Ti/Al/Pt/Au ,肖特基结金属为Pt/Au .器件栅长为 1μm ,获得的最大跨导为 12 0mS/mm ,最大的漏源饱...
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