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[期刊论文] 作者：赵亚文,李柳暗,阙陶陶,丘秋凌,何亮,刘振兴,张津玮,吴千树,
来源：中国物理B:英文版 年份：2020
We experimentally evaluated the interface state density of GaN MIS-HEMTs during time-dependent dielectric breakdown(TDDB).Under a high forward gate bias stress,...
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