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[期刊论文] 作者：王绍渤,吴瑞娣,
来源：半导体学报 年份：1989
对注S-SI GaAs单晶作光致发光测试,确定了两个缺陷能级.1.239eV峰可能是镓空位(V_(Ga))与S的络合物;1.408eV峰是由注S引起SI-GaAs衬底中残留杂质Si发生迁移,增加了Si受主(Si_...
[期刊论文] 作者：王绍渤,吴瑞娣,,
来源：仪表材料 年份：1983
本文中,我们对液相外延生长的掺Ge-p型Ga_(1-x)Al_xAs(x...
[期刊论文] 作者：王绍渤,吴瑞娣,夏冠群,
来源：半导体学报 年份：1989
对注S-SI GaAs单晶作光致发光测试,确定了两个缺陷能级.1.239eV峰可能是镓空位(V_(Ga))与S的络合物;1.408eV峰是由注S引起SI-GaAs衬底中残留杂质Si发生迁移,增加了Si受主(Si_...
[期刊论文] 作者：王绍渤,吴瑞娣,薛忠发,
来源：应用科学学报 年份：1984
我们对N-GaAs和N-InP单晶及外延层在4.2K和77K下测定了光致发光谱,并用C-V法测定了电学参数,确定了未掺GaAs中的受主杂质主要是C和Si.通过室温离子注入Si和退火处理,证明了Ga...
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