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[学位论文] 作者：吴真龙,,
来源：南京大学 年份：2016
Ⅲ族氮化物材料带隙从0.7 eV到6.2 eV连续变化,波长覆盖了从近红外到紫外极为宽广的光谱范围,具有优异的光电特性,具有比其他材料更大的应用范围和更高的发光效率。这些优点...
[会议论文] 作者：杨国锋,吴真龙,陈鹏,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[期刊论文] 作者：徐峰, 吴真龙, 邵勇, 徐洲, 刘启佳, 刘斌, 谢自力,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
利用金属有机物化学气相淀积（MOCVD）方法在C面蓝宝石衬底上制备了全组分InGaN薄膜,通过改变生长温度和In/Ga比例成功调控了InGaN合金组分和带隙宽度。利用不同的物理表征手段系...
[期刊论文] 作者：刘启佳,邵勇,吴真龙,徐洲,徐峰,刘斌,谢自力,陈鹏,,
来源：物理学报 年份：2009
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在c面蓝宝石(α-Al2O3)衬底上外延生长了铝镓铟氮(AlGaInN)四元合金薄膜.合金薄膜的生长温度设置为800,850,900℃,对获得的样品进行对...
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