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[期刊论文] 作者：周少华,熊琦,李锐敏,
来源：硅谷 年份：2004
在分析应变Si/应变Sil-YGeY/驰豫Sil-XGeX pMOSFET的在栅极电压作用下电荷在栅氧化层下面的分布情况的基础上,通过求解泊松方程,得到此器件的隐埋SiGe沟道阈值电压解析模型和...
[期刊论文] 作者：周少华 熊 琦 李锐敏,
来源：硅谷 年份：2008
[摘要]在分析应变Si／应变Si1-YGeY／驰豫Si1-XGeX pMOSFET的在栅极电压作用下电荷在栅氧化层下面的分布情况的基础上，通过求解泊松方程，得到此器件的隐埋SiGe沟道阈值电压解析模型和表面沟道的阈值电压解析模型，并用典型参数对模型进行了模拟，得到的模拟结果与实验结果......
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