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[学位论文] 作者：周致赜,
来源：北京大学 年份：2011
CMOS器件的发展使我们整个世界发生了革命性的转变，微电子技术以其飞快的发展速度影响着人类社会的生产和生活等各方面。但随着MOSFET器件沟道长度的不断减小，传统体硅CMOS器件...
[会议论文] 作者：何进,张立宁,黄宇聪,吴佳珍,徐姣姣,周致赜,林信南,
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文报告了用于SOC设计的新一代先进纳米集成电路CMOS模型---ULTRA-B的研究和发展的主要内容：完整MOSFET表面势方程基本原理的推导；MOSFET表面势的物理解；基于物理的电流解析方程和计算；MOSFET量子效应的模拟模型发展；小尺度效应模型的建立和分析；多晶硅的统一物理模......
[期刊论文] 作者：周幸叶,张健,周致赜,张立宁,马晨月,吴文,赵巍,张兴,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
As a connection between the process and the circuit design,the device model is greatly desired for emerging devices,such as the double-gate MOSFET.Time efficien...
[会议论文] 作者：何进[1]张立宁[2]黄宇聪[3]吴佳珍[3]徐姣姣[3]周致赜[3]林信南[3],
来源：第十六届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2009
本文报告了用于SOC设计的新一代先进纳米集成电路CMOS模型---ULTRA-B的研究和发展的主要内容：完整MOSFET表面势方程基本原理的推导；MOSFET表面势的物理解；基于物理的电流解析方...
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