搜索筛选:
搜索耗时0.0904秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 13 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：江冰松,唐龙谷,,
来源：大功率变流技术 年份：2015
基于形变势理论,分析了应力下硅基半导体的禁带变窄效应和迁移率增强效应。建立了IGBT芯片模型,研究了应力对IGBT电性能的影响,分析了IGBT的应力来源,可为IGBT应力控制提供一...
[会议论文] 作者：田野,何志刚,唐龙谷,石瑞英,
来源：第十七届全国半导体物理学术会议 年份：2009
在宇宙空间存在由各种高能质子、高能电子、X射线、中子、γ射线等组成的宇宙射线。为提高电子器件在各种辐照环境下的生存能力和可靠性，确保电子设备在辐照环境下正常工作，必......
[会议论文] 作者：陈芳林, 唐龙谷, 陈勇民, 潘学军,,
来源： 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：陈勇民,颜骥,陈芳林,唐龙谷,
来源：电力电子技术 年份：2018
集成门极换流晶闸管（IGCT）因其功率容量大、通态压降低及浪涌电流大等优势在冶金传动、船舶驱动、直流输电等领域具有巨大的应用潜力。通过优化P基区掺杂分布、使用质子辐照及......
[会议论文] 作者：陈芳林,唐龙谷,陈勇民,高建宁,张明,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
随着IGCT器件及应用技术的发展,IGCT器件已成为大功率变流装置的首选器件,而逆导型IGCT器件因为GCT与续流FRD反并联集成在同一个芯片上,可优化装置设计、结构、重量及体...
[期刊论文] 作者：方杰,常桂钦,彭勇殿,李继鲁,唐龙谷,,
来源：大功率变流技术 年份：2012
利用ANSYS有限元分析软件建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型,分析了模块稳态工作条件下的温度场分布,研究了不同基板材料及厚度、不同焊层材料及厚度对模块散热性能的...
[期刊论文] 作者：忻兰苑,孙康康,龚喆,陈燕平,唐龙谷,,
来源：大功率变流技术 年份：2017
介绍了IGBT并联的几种不同形式,着重分析了器件直接并联不均流的影响因素及形成机理,从工程实践的角度在器件电性能参数、结温、驱动以及结构等多个方面给出了对应的设计要点...
[期刊论文] 作者：温景超,石瑞英,龚敏,唐龙谷,田野,谭开州,蒲林,,
来源：强激光与粒子束 年份：2011
研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104Gy的伽玛总剂量辐照后,集电极电流和厄尔利电压均增加。另外,辐照后发射结和极电结的...
[期刊论文] 作者：温景超,石瑞英,龚敏,唐龙谷,田野,谭开州,蒲林,
来源：强激光与粒子束 年份：2004
研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响.经过10...
[期刊论文] 作者：陈芳林,吴煜东,张明,唐龙谷,陈勇民,高建宁,,
来源：大功率变流技术 年份：2015
逆导IGCT器件的关键技术在于实现GCT与FRD间的隔离。对比现有隔离技术,提出了一种补偿型横向PNP结隔离方法;经Silvaco仿真分析后,在4英寸与6英寸GCT芯片上开展了工艺和测试验...
[期刊论文] 作者：温景超,石瑞英,龚敏,唐龙谷,田野,谭开州,蒲林,
来源：强激光与粒子束 年份：2011
研究了伽玛辐照效应对SiGe异质结双极型晶体管的集电极电流和厄尔利电压的影响。经过104 Gy的伽玛总剂量辐照后, 集电极电流和厄尔利电压均增加。另外, 辐照后发射结和极电结的开启电压和击穿电压也均有一定程度的减小。以上这些变化均是由于辐照产生的缺陷引起......
[期刊论文] 作者：吴煜东,常桂钦,彭勇殿,方杰,唐龙谷,李继鲁,,
来源：大功率变流技术 年份：2014
焊层空洞是造成IGBT模块散热不良和疲劳失效的主要原因之一。考虑芯片场环区的影响,建立了IGBT模块封装结构的三维有限元模型;研究了不同焊层厚度、焊层空洞率和空洞位置对模...
[期刊论文] 作者：唐龙谷, 田坤, 黄晓峰, 蔡娟露, 陈维君, 龚敏, 石瑞,
来源：半导体光电 年份：2004
对于用Cl2/Ar和Cl2/CH4/H2感应耦合等离子体(ICP)刻蚀InP/InGaAs多层膜进行了研究。发现用Cl2/Ar刻蚀InP/InGaAs时InP侧壁内切,在InP和InGaAs界面存在侧壁不连续问题。而用Cl...
相关搜索：
