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[学位论文] 作者：喻巧群,,
来源： 年份：2011
宽禁带氧化物透明导电薄膜具有在可见光区域透过率高、红外波段反射率高以及导电性能优良等特点,而GaN材料则具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、导热性好等特点,二者在光...
[期刊论文] 作者：张广银,沈千行,喻巧群,卢烁今,朱阳军,,
来源：微电子学与计算机 年份：2017
为了克服传统功率MOSFET通态电阻和击穿电压之间的矛盾，引入了超级结（sJ）器件，通过引入横向电场来提高击穿电压．针对工艺中非对称pillar的设计需求，建立了非对称的研究分析模型，通过......
[会议论文] 作者：喻巧群;栾彩娜;孔令沂;朱振;弭伟;马瑾;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法在epi—GaN/Al2O3(0001)衬底上制备外延ZnO薄膜。研究了衬底温度在500～650℃范围内对ZnO薄膜的结构和光电特性的影响。制备的样品是纤...
[会议论文] 作者：喻巧群;陆江;田晓丽;卢烁今;朱阳军;韩郑生;,
来源：2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2013
本文研究了IGBT发生短路事件时的器件物理特性,并结合实际的设计优化措施给出了合理的优化设计方案.首先从分析器件理论公式出发,讨论了饱和电流的影响因素,之后重点采用模拟...
[期刊论文] 作者：田晓丽,褚为利,陆江,卢烁今,喻巧群,朱阳军,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
This paper introduces a homemade injection-enhanced gate transistor(IEGT) with blocking voltage up to 3.7 kV. An advanced cell structure with dummy trench and a...
[期刊论文] 作者：喻巧群,陆江,刘海南,罗家俊,李博,王立新,韩郑生,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
We present a detailed study of a superjunction(SJ) nanoscale partially narrow mesa(PNM) insulated gate bipolar transistor(IGBT) structure. This structure is cre...
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