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[学位论文] 作者：姚官生,,
来源：哈尔滨工业大学 年份：2007
本文采用分子束外延(MBE)方法在GaAs(001)衬底上成功制备出了高质量GaAs/AlxGa1-xAs HEMT(高电子迁移率晶体管)材料。研究表明,该材料室温下电子迁移率为7950cm2/V·s,面电子...
[期刊论文] 作者：姚官生, 司俊杰, 陈凤金,,
来源：低温与超导 年份：2009
采用化学沉淀的方法沉淀PbSe薄膜，分别加入缓冲剂联氨（方法A）和碘化钾（方法B）。对反应原理进行了分析，对制备过程进行了优化，分别制备出了高质量的PbSe薄膜。采用XRD、SEM、EDS以及......
[期刊论文] 作者：陈凤金,司俊杰,姚官生,张庆军,,
来源：红外技术 年份：2009
分别以硒脲和硒粉为Se^2-制备剂的主要原料，用化学浴沉积法制备了PbSe多晶薄膜。对所制备薄膜用形貌、XRD、TEM和红外透射谱等方法进行表征分析。两种制备方法均获得了结晶度...
[期刊论文] 作者：朱旭波, 彭震宇, 曹先存, 何英杰, 姚官生, 陶飞, 张,
来源：红外与激光工程 年份：2004
InAs/GaSb超晶格材料已经成为了第三代红外焦平面探测器的优选材料。开展了InAs/GaSb二类超晶格中/短波双色焦平面探测器器件结构设计、材料外延、芯片制备,对钝化方法进行了...
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