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[会议论文] 作者：孔蔚然,,
来源： 年份：2011
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[会议论文] 作者：孔蔚然,
来源：第九届中国国际半导体博览会暨高峰论坛 年份：2011
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[期刊论文] 作者：董耀旗,孔蔚然,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2010
Fowler-Nordheim隧穿被广泛应用于EEPROM和闪存中的擦除操作。多晶硅到多晶硅的F-N隧穿具有较高的隧穿效率。本论文基于分栅闪存存储器的结构,对于多晶硅/隧穿氧化层/多晶硅...
[期刊论文] 作者：董耀旗,孔蔚然,
来源：功能材料与器件学报 年份：2010
Fowler-Nordheim隧穿被广泛应用于EEPROM和闪存中的擦除操作。多晶硅到多晶硅的F-N隧穿具有较高的隧穿效率。本论文基于分栅闪存存储器的结构,对于多晶硅/隧穿氧化层/多晶硅...
[期刊论文] 作者：方亮,孔蔚然,顾靖,张博,邹世昌,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
A fully self-aligned symmetrical split-gate cell structure for 2-bit per cell flash memory with a very competitive bit size is presented. One common select gate...
[期刊论文] 作者：陶凯,郭国超,孔蔚然,韩瑞津,邹世昌,,
来源：半导体技术 年份：2005
利用ISSG低压退火法来取代传统的氧气退火法,对沉积后的隧穿氧化薄膜进行退火处理.由于其独特的可控补偿氧化生长机制,最终在晶圆表面形成了厚度均匀的氧化层,薄膜质量也有了...
[期刊论文] 作者：董耀旗,孔蔚然,Nhan Do,王序伦,李荣林,,
来源：半导体学报 年份：2010
The erase voltage impact on the 0.18μm triple self-aligned split-gate flash endurance is studied.An optimized erase voltage is necessary in order to achieve th...
[期刊论文] 作者：孔蔚然,李冰寒,肖军,钱亮,江红,杨光军,曹子贵,高超,,
来源：中国科技奖励 年份：2015
为打破国外技术垄断,该项目作为“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项立项项目之一,提出了开发0.13微米嵌入式闪存技术,发展国产SIM卡产业的方案。项目主...
[期刊论文] 作者：李睿,王俊,孔蔚然,马惠平,浦晓栋,莘海维,王庆东,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理。通过纳米探针测量，发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致。TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶......
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