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[学位论文] 作者：孙连婕,,
来源：天津理工大学 年份：2012
随着卫星通信，网络通信以及无线通信等向高频化(4.8GHz以上)的发展，高频声表面波器件必须具有高声速、高机电耦合系数、低声速频散等特性。“金刚石/压电薄膜”多层膜结构基片...
[学位论文] 作者：孙连婕,
来源：天津理工大学 年份：2012
随着卫星通信，网络通信以及无线通信等向高频化(4.8GHz以上)的发展，高频声表面波器件必须具有高声速、高机电耦合系数、低声速频散等特性。“金刚石/压电薄膜”多层膜结构基片...
[期刊论文] 作者：宋振坤,陈希明,郭燕,孙连婕,,
来源：天津理工大学学报 年份：2011
氮化铝（AlN）薄膜不同的择优取向直接影响其压电性和声波传递速度.本文通过改变衬底补偿温度对AlN薄膜的择优取向进行了研究.在正常实验溅射完成后继续通入氮气对衬底进行温度补......
[期刊论文] 作者：宋振坤,陈希明,郭燕,孙连婕,
来源：天津理工大学学报 年份：2004
氮化铝(AIN)薄膜不同的择优取向直接影响其压电性和声波传递速度.本文通过改变衬底补偿温度对AIN薄膜的择优取向进行了研究.在正常实验溅射完成后继续通入氮气对衬底进行温度...
[期刊论文] 作者：曲长庆,孙连婕,陈希明,郭燕,吴小国,,
来源：天津理工大学学报 年份：2012
本文采用磁控溅射系统制备了Si/Al/BN多层膜结构,并通过XRD,AFM,傅立叶红外光谱仪,纳米压痕仪等对Si/Al/BN多层膜结构进行了表征,表征结果表明本实验制备的Si/Al/BN多层膜基...
[期刊论文] 作者：孙连婕,陈希明,杨保和,郭燕,吴小国,,
来源：光电子.激光 年份：2012
采用射频（RF）磁控溅射的方法，通过改变工艺参数在n型Si（100）片上制备六方氮化硼（h—BN）薄膜。通过傅立叶红外（FTIR）光谱仪，x射线衍射（xRD）仪进行结构表征，原子力显微镜（AFM）进行表面形貌和压......
[期刊论文] 作者：郭燕,陈希明,杨保和,孙连婕,吴晓国,,
来源：光电子.激光 年份：2011
采用射频磁控溅射法,通过改变工艺参数在n型(100)Si片上制备了表面粗糙度小、以(100)面择优取向的AlN薄膜。研究了高温退火、N2结尾等工艺对AlN薄膜择优取向的影响。结果表明...
[期刊论文] 作者：陈希明,孙连婕,杨保和,郭燕,吴小国,,
来源：Optoelectronics Letters 年份：2012
Boron nitride (BN) films for high-frequency surface acoustic wave (SAW) devices are deposited on Ti/Al/Si(111) wafers by radio frequency (RF) magnetron sputteri...
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