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[学位论文] 作者：孙重清,
来源：北京工业大学 年份：2006
GaN基蓝光LED是国际上倍受重视，并大力发展的重要半导体光电子器件。它在动态显示平板实现全色显示，半导体日常照明等领域都具有广阔的应用前景和巨大的社会、经济效益。传统的......
[期刊论文] 作者：孙重清,邹德恕,顾晓玲,张剑铭,董立闽,宋颖娉,郭霞,高国,,
来源：量子电子学报 年份：2006
GaN基LED的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验...
[期刊论文] 作者：邹德恕,顾晓玲,孙重清,张剑铭,董立闽,郭霞,宋颖娉,沈光地,
来源：激光与光电子学进展 年份：2006
采用一种自对准制造工艺和倒装芯片的装配技术，研制出GaN基蓝光大功率发光二极管（1mm×1mm）。其光学参数：总辐射功率143．19mW，光通量8．861m，发光效率7．291m／W，峰值波长462nm，半峰全宽......
[期刊论文] 作者：孙重清,邹德恕,顾晓玲,张剑铭,董立闽,宋颖娉,郭霞,高国,沈光地,,
来源：量子电子学报 年份：2006
GaN基LED的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状N电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验...
[期刊论文] 作者：邹德恕,顾晓玲,孙重清,张剑铭,董立闽,郭霞,宋颖娉,沈光地,丁成隆,王新潮,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2006
采用一种自对准制造工艺和倒装芯片的装配技术,研制出GaN基蓝光大功率发光二极管(1mm×1mm).其光学参数:总辐射功率143.19 mW,光通量8.86h,发光效率7.291m/W,峰值波长462m,半...
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