搜索筛选:
搜索耗时0.1192秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 122 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者:宗祥福,
来源:现代化 年份:1994
...
[期刊论文] 作者:袁榘,宗祥福,
来源:LSI制造与测试 年份:1990
...
[期刊论文] 作者:谢进, 宗祥福,,
来源:硅酸盐学报 年份:2000
通过高温热氧化的方法,在AIN陶表面形成一薄层AI2O3作为过渡层,成功地将铜与AIN陶瓷键合在一起,研制出性能优越的AIN陶瓷覆铜基板。研究了AIN热氧化时间及温度对键合质量的影响,提出子较佳的儿得的......
[期刊论文] 作者:常旭,宗祥福,
来源:半导体学报 年份:2000
在U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用的模型的基础上,提出了聚焦离子束辅助沉积的沉淀速率模型。该模型包含了沉积过程中沉积作用和溅射作用的共同影响,指出在一定的离子束电流和反应......
[期刊论文] 作者:常旭,宗祥福,
来源:半导体学报 年份:2000
在 U.G.Meyer离子与表面吸附气体相互作用模型的基础上 ,提出了聚焦离子束辅助淀积的淀积速率模型 .该模型包含了淀积过程中淀积作用和溅射作用的共同影响 ,指出在一定的离子...
[期刊论文] 作者:宗祥福,杨清河,
来源:复旦学报(自然科学版) 年份:1982
近年来,石墨插层化合物奇特的物理化学性能及潜在的应用价值引起了人们的注意.许多作者对插层化合物的键合作了研究.我们用x射线衍射仪测定了不同级数石墨插层化合物面间距...
[期刊论文] 作者:宗祥福,翁渝民,
来源:红外与毫米波学报 年份:1992
用氢氟酸电解腐蚀工艺研制成功一种多孔硅材料,它的光致发光谱可短至蓝绿色,用该材料制成的肖特基二极管的电致发光为黄色....
[期刊论文] 作者:翁渝民,宗祥福,
来源:红外与毫米波学报 年份:1993
多孔硅的发光是源自其最表面层,该层是非晶态的。本研究揭示其结构是随机分布在此表面的纳米尺度的硅。多孔硅的微结构好象量子海绵,没有观察到“线”状结构,是一种无序材料...
[期刊论文] 作者:卢基存,宗祥福,
来源:固体电子学研究与进展 年份:1999
对一种有机印制板上倒装芯片进行温度循环试验,测出其失效分布曲线,然后通过扫描声显微镜、红外显微镜和剖面等失效分析手段,发现失效模式主要是合金焊点中的断裂以及下部填充料......
[期刊论文] 作者:翁渝民,宗祥福,
来源:复旦学报:自然科学版 年份:1994
用扫描隧道显微和光致发光方法,观察了发光多孔硅的微结构形貌。发现多孔硅的光致发光主要源自其最表面层;该层是无定型的,但又不同于一般的非晶硅,而像是由大量纳米尺度的硅原子......
[期刊论文] 作者:宗祥福,周正刚,等,
来源:复旦学报:自然科学版 年份:1999
用有限元法分析了在随机加的圆柱形刻痕器作用下氮化铝的行为,模拟了应力场的整个扩展过程,结果显示,主应力的方向总是处于不停的随机变化之中;而完全卸载时残余张应力的方向最终......
[期刊论文] 作者:神承复,宗祥福,
来源:电子显微学报 年份:1989
高硼酸盐BaLaB_9O_16是一种新型的稀土荧光粉基质材料。本文参照三维约化胞法,利用电子衍射图测定了其三斜晶胞参数,并从高分辨点阵象发现晶体呈现层状微孪晶畴结构。...
[期刊论文] 作者:宗祥福,翁渝民,
来源:应用科学学报 年份:1994
用X光电子能谱(XPS)、先致发光(PL)和俄歇电子能量谱(AES)研究P_2S_5/NH_4OH对n型GaAs(100)晶面的钝化作用.测试结果表明,钝化后在砷化镓(100)面上的自然氧化物已被除去,表面形成了一层性质稳定的硫原子层.硫原子与砷、镓原子......
[期刊论文] 作者:宗祥福,翁渝民,
来源:应用科学学报 年份:1992
报道了一个自制的采用计算机控制的自动光荧光(PL)扫描系统.该系统可用于形貌半导体晶片或外延层的PL强度分布,尺寸可大到3英寸,样品可以是Si,GaAs,InP等.它可以用来探测材料...
[会议论文] 作者:穆国融,宗祥福,
来源:第六届全国离子色谱学术报告会 年份:1997
...
[期刊论文] 作者:王阳元,宗祥福,
来源:海峡科技与产业 年份:1996
台湾微电子产业发展迅速,自台工业研究院电子所1977年从美国RCA引进7微米(μm)的MOS生产技术不到20年时间,1995年台湾信息产业已跃居世界第三位,仅次于美国,日本。而集成电...
[期刊论文] 作者:姜蕾,何国伟,宗祥福,,
来源:中国集成电路 年份:2002
本文简单介绍了铜互连扩散阻挡层的种类、特点和发展,将离子注入方法与溅射方法相结合,改进了扩散阻挡层的制备工艺。溅射生长的100nm厚的Ta阻挡层在经过能量为40keV的N离子...
[期刊论文] 作者:宗祥福,陈一,张过路,
来源:电子学报 年份:1984
硅-二氧化硅界面过渡区的状态与半导体器件制造工艺有密切关系。以不同的光电子发射角对不同的阳极氧化样品得到的XPS(X-ray Photoelectron Spectroscopy)谱表明;阳极氧化生...
[会议论文] 作者:黄曜,黄郁芳,宗祥福,
来源:中国物理学会第六届质谱分会会员代表大会暨学术报告会 年份:2000
本文采用HF、HNO溶液处理样品,用ICP-MS方法对溶解下来的硅片表面BPSG中B、P含量进行检测,取得了良好的结果,节约了外汇和检测时间,具有很大的实用价值....
[期刊论文] 作者:孟宣华,林晶,宗祥福,
来源:半导体技术 年份:2002
回顾了低成本制备芯片上焊料凸点的方法,即化学镀镍制备凸点下金属层、模版印刷焊料,最后回流形成焊料凸点,并综述了该方法的最新研究进展。...
相关搜索: