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[会议论文] 作者：尚金铭;欧阳仲涛;刘昆;,
来源：第八届全国大学生创新创业年会 年份：2015
我们研究了室温下Li 对Ti1.4V0.6Ni 准晶合金电极电化学性能的影响.通过先进行电弧熔炼,随后用急冷的方法合成准晶样品,然后用熔盐电渗将Li 原子渗入准晶合金.根据X 射线...
[期刊论文] 作者：杨成奥, 谢圣文, 黄书山, 袁野, 张一, 尚金铭, 张宇,
来源：红外与激光工程 年份：2018
锑化物材料因为其天然的禁带宽度较小的优势,是2~4μm波段半导体光电材料和器件研究的理想体系。近年来,国内外在锑化物大功率半导体激光器方面的研究取得了很大的进展,实现...
[期刊论文] 作者：尚金铭, 张宇, 杨成奥, 谢圣文, 黄书山, 袁野, 张一,
来源：红外与激光工程 年份：2018
GaSb基光泵浦半导体碟片激光器(OP-SDLs)可以获得高光束质量和高功率的红外激光输出,是近年来新型中红外激光器件研究领域的热点。文中介绍了GaSb基光泵浦半导体碟片激光器增...
[期刊论文] 作者：杨成奥, 谢圣文, 黄书山, 袁野, 张一, 尚金铭, 张宇,,
来源：红外与激光工程 年份：2018
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[期刊论文] 作者：尚金铭, 张宇, 杨成奥, 谢圣文, 黄书山, 袁野, 张一,,
来源：红外与激光工程 年份：2018
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[会议论文] 作者：杨成奥, 谢圣文, 张一, 尚金铭, 袁野, 张宇, 徐应强,
来源： 年份：2004
2～4μm波段是非常重要的红外大气窗口,工作在这个波段的激光器在气体检测、医疗美容和工业加工领域具有十分广泛的应用价值。锑化物半导体低维材料,是实现中红外波段半导体激...
[期刊论文] 作者：张一, 张宇, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭, 黄书,
来源：红外与激光工程 年份：2018
3~4μm波段中红外激光器在工业气体检测、医学医疗和自由空间光通信等诸多领域具有十分重要的应用。目前锑化物半导体带间级联激光器是实现中红外3~4μm波段的理想方案。带间...
[会议论文] 作者：杨成奥, 谢圣文, 张一, 尚金铭, 袁野, 张宇, 徐应强,,
来源：全国第十七届红外加热暨红外医学发展研讨会论文及论文摘要集 年份：2019
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[期刊论文] 作者：张一, 张宇, 杨成奥, 谢圣文, 邵福会, 尚金铭, 黄书山,,
来源：红外与激光工程 年份：2018
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[期刊论文] 作者：谢圣文, 杨成奥, 黄书山, 袁野, 邵福会, 张一, 尚金铭,,
来源：红外与激光工程 年份：2018
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[期刊论文] 作者：袁野,苏向斌,杨成奥,张一,尚金铭,谢圣文,张宇,倪海桥,徐,
来源：红外与毫米波学报 年份：2020
通过MBE外延系统生长了1.3µm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能,InAs量子点的最优生长温度被标定为520℃,并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100µ...
[期刊论文] 作者：张一,杨成奥,尚金铭,陈益航,王天放,张宇,徐应强,刘冰,牛智川,
来源：光学学报 年份：2021
半导体带间级联量子阱是实现3～5μm波段中红外激光器的重要前沿,其在半导体光电器件技术、气体检测、医学医疗以及自由空间光通信等诸多领域具有重要科学意义和应用价值.半导...
[期刊论文] 作者：袁野,苏向斌,杨成奥,张一,尚金铭,谢圣文,张宇,倪海桥,徐应强,牛智川,
来源：红外与毫米波学报 年份：2020
通过MBE外延系统生长了1.3μm的GaAs基InAs量子点激光器.为了获得更好的器件性能,InAs量子点的最优生长温度被标定为520℃,并且在有源区中引入Be掺杂.制备了脊宽100μm,腔长2...
[期刊论文] 作者：杨成奥,张一,尚金铭,陈益航,王天放,佟海保,任正伟,张宇,徐应强,牛智川,
来源：红外与激光工程 年份：2020
2～4μm波段是非常重要的红外大气窗口,工作在这个波段的激光器在气体检测,医疗美容和工业加工领域具有十分巨大的应用价值.锑化物半导体材料低维结构具有窄禁带直接跃迁发光的...
[期刊论文] 作者：袁野,柴小力,杨成奥,张一,尚金铭,谢圣文,李森森,张宇,徐应强,宿星亮,牛智川,
来源：中国激光 年份：2020
设计制备了GaSb基I型InGaAsSb量子阱激光器,其激射波长为2。75 μm。五元势垒材料AlGaInAsSb有效降低了势垒的价带能级并提高了价带带阶,使量子阱发光波长红移至2。75 μm波段。通过优化分子束外延生长参数,得到了高发光效率的量子阱激光器外延材料,在此基础上......
[期刊论文] 作者：牛智川,徐应强,张宇,倪海桥,杨成奥,谢圣文,尚金铭,张一,袁野,陈益航,蒋俊凯,
来源：科技纵览 年份：2019
几十年来,半导体技术的创新迭代始终围绕其材料体系的开拓不断递进.迄今为止得到公认的三代半导体材料分别是第一代半导体的IV族硅Si/锗Ge体系、第二代半导体的III-V族砷化镓...
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