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[期刊论文] 作者:尤金霜(译),项颉(校), 来源:电力电子 年份:2006
本文介绍了应用于6kV-7.2kV中低压装簧中,具有低的通态电压和快速开关的10kV IGCT的设计、实验研究和特性。对进行优化设计的10kV IGCT,我们通过对可以体现器件整体性能的阻断、...
[期刊论文] 作者:尤金霜,译项,颉校, 来源:电力电子 年份:2006
最近几年里,由于IGCT具有较低的导通和开关损耗,它们已经成为中等电压电平用的电力半导体器件。两种损耗之间的折衷可以通过各种寿命控制技术调整。对这些器件日益增长的需求要......
[期刊论文] 作者:尤金霜(译),古玉书(校), 来源:电力电子 年份:2006
本文介绍高压SPT、(软穿通)-IGBT器件的开关自箝位模式,并且引入一种现有短路过流保护能力以外的、器件关断过程中的过压保护特性。IGBT结构中的这种新的保护特性将为那些正在寻......
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