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[期刊论文] 作者:高玉竹,龚秀英,山口十六夫,
来源:半导体学报 年份:2007
用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8~12mm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分布函数的概念,并计算了InSb单晶和3种不同组分I...
[会议论文] 作者:高玉竹,龚秀英,山口十六夫,
来源:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份:2006
用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8-12μm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分布函数的概念,并计算了一个InSb单晶和三个不同组分的InAs1-xSbx样品的透射光谱.结果表明,实验测得的样品的截止波长与理论算得的数......
[期刊论文] 作者:高玉竹,龚秀英,山口十六夫,GaoYuzhu,GongXiuying,TomuoYamaguchi,
来源:城市道桥与防洪 年份:2007
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者:高玉竹[1]龚秀英[1]山口十六夫[2],
来源:第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份:2006
用熔体外延法在InAs衬底上成功地生长了截止波长为8-12μm的InAs1-xSbx单晶.用红外光谱仪测量了样品的透射光谱.提出了组分微观分布函数的概念,并计算了一个InSb单晶和三个不...
[期刊论文] 作者:高玉竹,龚秀英,梁骏吾,桂永胜,山口十六夫,
来源:光电子·激光 年份:2005
用Van der Pauw法研究了熔体外延(ME)法生长的截止波长为12 μm的InAs0.04Sb0.96单晶电学性质,测量了其电学性质随温度的变化,结果为:300 K时,n=2.3×1016 cm-3,μ=6×...
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