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[期刊论文] 作者：巨峰峰,姚伟明,翁长羽,刘道广,,
来源：半导体技术 年份：2012
IGBT器件具有输入阻抗高和导通压降低的优点,在大功率电力电子领域具有广泛的应用,但IGBT器件的栅极漏电问题严重影响产品的成品率和可靠性,是产品制造工艺控制的关键。栅极...
[期刊论文] 作者：谭德喜,巨峰峰,顾晓春,翁长羽,刘道广,,
来源：电子工艺技术 年份：2012
采用正硅酸乙脂热分解系统(TEOS-O2-N2)淀积SiO2工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用。主要介绍了正硅酸乙脂热分解...
[期刊论文] 作者：谭德喜,巨峰峰,顾晓春,翁长羽,刘道广,
来源：电子工艺技术 年份：2012
采用正硅酸乙脂热分解系统（TEOS-02-N2）淀积SiO：工艺在大功率垂直双扩散金属氧化物半导体（VDMOS）器件及产品的研发和生产中有着非常重要的应用。主要介绍了正硅酸乙脂热分解系统淀......
[会议论文] 作者：刘晶晶,姚伟明,巨峰峰,顾晓春,翁长羽,刘道广,
来源：2014 电力电子与航天技术高峰论坛 年份：2014
通过电子辐照在功率VDMOS器件中引入少子复合中心,从而有效缩短功率VDMOS器件中的少子寿命,改善开关特性。本论文对8N60、13N60等2个型号的功率VDMOS样品进行了电子辐照以及...
[会议论文] 作者：刘晶晶,刘道广,姚伟明,巨峰峰,顾晓春,翁长羽,
来源：2014 电力电子与航天技术高峰论坛 年份：2014
通过电子辐照在功率VDMOS器件中引入少子复合中心,从而有效缩短功率VDMOS器件中的少子寿命,改善开关特性。本论文对8N60、13N60等2个型号的功率VDMOS样品进行了电子辐照以及辐照后的退火处理,实验证明电子辐照对提升功率VDMOS器件的开关速度是有效的。......
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