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[学位论文] 作者：巴腾飞,,
来源： 年份：2016
SiC功率器件以其开关速度快,通态电阻小,结温高等特点得到广泛应用。然而,随着开关频率的提高,寄生参数对器件开关特性的影响越来越明显,造成器件的开关损耗增加,电压电流应...
[期刊论文] 作者：巴腾飞, 李艳, 梁美,,
来源：电工技术学报 年份：2016
为分析寄生参数对开关过程中碳化硅（SiC）MOSFET栅源极电压的影响,首先建立了基于同步Buck变换器的SiC MOSFET开通和关断过程的数学模型;然后通过仿真和实验结果对比,验证了寄生...
[期刊论文] 作者：梁美,郑琼林,李艳,巴腾飞,,
来源：电工技术学报 年份：2017
为精确估算高频工作状态下SiC MOSFET的开关损耗及分析寄生参数对其开关特性的影响, 提出了一种基于SiC MOSFET的精准分析模型.该模型考虑了寄生电感、SiC MOSFET非线性结电...
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