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[期刊论文] 作者：库万军,王新颜,
来源：功能材料 年份：1997
研究了不同温度热处理对Ｆｅ７９．５Ｐ１２Ｃ６Ｃｕ０．５Ｍｏ０．５Ｓｉ１．５的巨磁阻抗的影响，发现ＧＭＩ不仅与磁导率有关，而且也受到磁各向异性的作用。...
[期刊论文] 作者：阎明朗,库万军,
来源：科学通报 年份：1994
近年来研究发现,由磁性材料和非磁性材料交替沉积而构成的金属多层膜和三层(Sandwich)结构系统中,非磁性层厚度发生变化时,相邻磁性层之间出现铁磁性耦合和反铁磁性耦合...
[期刊论文] 作者：葛副鼎,库万军,
来源：金属功能材料 年份：1997
介绍了居磁阻抗效应的来源，综述了它和样品的磁各向异性，驱动电流的频率，样品的电导率及厚度的关系，并简要介绍了它的应用。...
[期刊论文] 作者：俞成涛,库万军,
来源：科学通报 年份：1994
自1988年Baibich等人在Fe/Cr多层膜中发现巨磁电阻(GMR)效应以来,人们对各种磁/非磁金属多层膜做了大量的研究.Fe/Cr,Co/Cu和Fe/Cu是最为人们熟悉的存在GMR效应的多层膜...
[期刊论文] 作者：葛副鼎,库万军,朱静,
来源：功能材料与器件学报 年份：1997
利用磁畴壁移动模型以纳米晶软磁合金Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９为例对软磁薄带中的巨磁阻抗效应进行了数值分析，结果发现不同的磁导率机制并不能显著发迹巨巨磁阻抗效的大小仅由磁导率对外加磁场的敏感......
[期刊论文] 作者：葛副鼎,库万军,朱静,
来源：金属功能材料 年份：1997
介绍了巨磁阻抗效应（ＧＭＩ）的来源，综述了它和样品的磁各向异性、驱动电流的频率、样品的电导率及厚度的关系，并简要介绍了它的应用。This paper introduces the source of giant ma...
[期刊论文] 作者：葛副鼎,库万军,朱静,
来源：材料导报 年份：1999
介绍了手性材料的概念、特点、制备方法及其作为隐身吸波材料的优缺点、手性吸波材料计算机辅助设计以及目前研究中存在的问题。The concepts, characteristics, preparati...
[会议论文] 作者：杨芝茵,李伟,库万军,刘华瑞,
来源：第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议 年份：2004
本文简单介绍了巨磁电阻(GMR)效应.在玻璃和4英寸Si片上用磁控溅射法,在高真空条件下,制备了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta的项目旋阀(spin valve)多层膜,在室温下测得...
[会议论文] 作者：肖又专,库万军,曾荣伟,
来源：全国第二届纳米材料和技术应用会议 年份：2001
巨磁电阻(GMR)效应是1988年发现的一种磁电阻效应.自发现以来其在各领域的应用发展得到广泛的重视.我们用纳米技术制作的巨磁电阻(GMR)传感器在多个领域得到应用,取得良好效...
[会议论文] 作者：杨芝茵,李伟,刘华瑞,库万军,
来源：第四届全国磁性薄膜与纳米磁学会议 年份：2004
本文简单介绍了巨磁电阻(GMR)效应.在玻璃和4英寸Si片上用磁控溅射法,在高真空条件下,制备了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/MnIr/Ta的项目旋阀(spin valve)多层膜,在室温下测得...
[期刊论文] 作者：刘华瑞,任天令,刘理天,库万军,
来源：仪器仪表学报 年份：2003
在玻璃和硅衬底上利用高真空直流磁控溅射的方法淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜。分别研究了增加磁电阻率,降低矫顽力和提高交换场的方法...
[期刊论文] 作者：库万军,葛副鼎,严格,王新颜,朱静,
来源：科学通报 年份：2004
自从在CoFeSiB非晶丝(带)及FeCuNbSiB的纳米晶丝(薄膜)材料中发现巨磁致阻抗效应以来,GMI效应在实际运用中有广阔的前景,而且在理论上探讨GMI的起因也是非常有意义的,所以受...
[期刊论文] 作者：肖又专,曾荣伟,王林忠,库万军,
来源：磁性材料及器件 年份：2001
巨磁电阻 (GMR)传感器作为磁敏传感器家族中的一枝新秀 ,以其卓越的性能正越来越为人们所重视。综述了几种 GMR传感器 ,如测微弱磁场 GMR传感器 ,高线性 GMR传感器及数字脉冲...
[期刊论文] 作者：肖又专,王林忠,库万军,曾荣伟,
来源：磁性材料及器件 年份：2001
巨磁电阻（GMR）传感器作为磁敏传感器家族中的一枝新秀，以其卓越的性能正越来越为人们所重视。综述了几种GMR传感器，如测微弱磁场GMR传感器，高线性GMR传感器及数字脉冲型GMR传感器......
[会议论文] 作者：雷仁贵, 李伟, 库万军, 方光旦, 熊鑫恩, 宋庆山,,
来源： 年份：2003
用电镀去制备Ni-Fe合金薄膜作为磁性材料己经得到了广泛的应用,调节镀液的成份可获得不同合金比率、不同磁性能的合金膜层。如Ni80Fe20的合金膜其Bs在0.9～1.0T左右,电阻...
[期刊论文] 作者：刘华瑞,任天令,曲炳郡,刘理天,库万军,李伟,
来源：金属功能材料 年份：2003
通过直流磁控溅射法在硅/二氧化硅基底上沉积了Ta膜,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜,研究了Ta、Ta/NiFe膜的晶格结构和表面情况,及自旋阀的磁性能,结果表明,自旋阀的磁...
[会议论文] 作者：刘华瑞,任天令,曲炳郡,刘理天,库万军,李伟,
来源：第八届敏感元件与传感器学术会议 年份：2003
通过高真空直流磁控溅射法在硅上淀积了Ta膜,Ta/NiFe双层膜和IrMn顶钉扎自旋阀薄膜.研究了Ta、Ta/NiFe膜的微结构和自旋阀的磁性能.结果表明,Ta缓冲层厚度直接影响它的微结构,从而影响自旋阀的磁电阻率、矮顽力和交换场等性能.通过工艺改进和结构优化,得到了Ta......
[期刊论文] 作者：曲炳郡,任天令,刘华瑞,刘理天,库万军,李志坚,
来源：仪器仪表学报 年份：2003
利用磁控溅射法,制备了一种上钉扎的标准自旋阀结构:Ta(6nm)/Ni81Fe19/Co90Fe10(1nm)/Cu(1.8nm)/Co90Fe10(3.5nm)/Ir20Mn80(8nm)/Ta(6nm),并研究了自旋阀结构中Ni81Fe19层厚...
[期刊论文] 作者：曲炳郡,任天令,刘华瑞,刘理天,库万军,李志坚,
来源：仪器仪表学报 年份：2003
研制了一种传统结构的上钉扎巨磁电阻自旋阀,其结构为:Ta(6nm)/Ni81Fe19(4.5nm)/Co90Fe10(1nm)/Cu(1.8nm)/Co90Fe10(3.5nm)/Ir20Mn80(11nm)/Ta(3nm).该自旋阀磁电阻变化率大(...
[期刊论文] 作者：曲炳郡, 任天令, 刘华瑞, 刘理天, 李志坚, 库万军,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
对巨磁电阻自旋阀磁场传感器制作中的关键技术之一:自旋阀薄膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺,进行了试验研究.自旋阀结构为:Ta(3.5nm)/Cu(0.7nm)/NiFe(4.5nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/C...
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