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[学位论文] 作者：庞泽鹏,,
来源：太原理工大学 年份：2017
氧化锌(ZnO)半导体材料在室温下具有较宽的禁带宽度(3.37 e V)和较高的激子束缚能(60 me V),是当前实现短波长光电应用尤其是紫外发光器件(紫外发光二极管,紫外激光器等)的优...
[期刊论文] 作者：庞泽鹏,梅伏洪,乔建东,尚林,余春燕,许并社,,
来源：发光学报 年份：2017
研究了在湿法腐蚀Ga N衬底上生长的Zn O纳米棒阵列的微结构和光学性能。相比于未经腐蚀及腐蚀5 min、10 min的Ga N上生长的Zn O纳米棒阵列,在腐蚀8 min的Ga N上生长的Zn O纳...
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