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[期刊论文] 作者：黄森,王鑫华,康玄武,刘新宇,
来源：电力电子技术 年份：2017
绝缘栅氮化镓（GaN）基平面功率开关器件是下一代GaN功率电子技术的最佳选择。在此从Si基GaN金属绝缘体（氧化物）半导体（MIS／MOS）高电子迁移率晶体管（HEMT）器件面临的界面态和增强型栅产......
[期刊论文] 作者：邓世雄, 刘继斌, 刘培国, 高长征, 康玄武,
来源：微波学报 年份：2020
当今高功率微波技术发展迅速，电子设备所面临的威胁巨大。GaN肖特基二极管具有较小的开启电压和较高的击穿电压，特别适用于大功率整流电路。文章介绍了一种基于准垂直结构GaN肖特基二极管整流的高功率微波限幅器。测试结果表明，在2～4 GHz频带内，可承受脉宽10 μs，占空......
[期刊论文] 作者：康玄武, 郑英奎, 王鑫华, 黄森, 魏珂, 吴昊, 孙跃,,
来源：电源学报 年份：2004
氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿...
[期刊论文] 作者：李鹏飞,魏淑华,康玄武,张静,吴昊,孙跃,郑英奎,
来源：半导体技术 年份：2021
采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀系统,研究了氧等离子体表面处理对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触电阻的影响.利用能量色散X射线光谱仪、光致发光谱和原子力显微镜以及电学测试设备对...
[期刊论文] 作者：赵媛媛,郑英奎,康玄武,孙跃,吴昊,魏珂,刘新宇,
来源：半导体技术 年份：2004
为了研究离子注入边缘终端对准垂直GaN肖特基势垒二极管性能的影响,对器件进行了二维模拟仿真,分析了终端区域尺寸对肖特基结边缘处峰值电场及正向特性的影响,得到了宽度5μm...
[期刊论文] 作者：崔艺馨,马英起,上官士鹏,康玄武,刘鹏程,韩建伟,
来源：物理学报 年份：2020
利用飞秒脉冲激光对氮化镓（GaN）功率器件进行单粒子烧毁效应定量评估技术研究，针对器件结构建立脉冲激光有效能量传输模型，计算了激光有效能量与重离子线性能量传输（LET）的等效关系并验证。考虑器件材料反射率与吸收系数对激光的影响，利用介质层界面间的激光多次反射进......
[期刊论文] 作者：刘芷诫,郑英奎,康玄武,孙跃,吴昊,陈晓娟,魏珂,
来源：半导体技术 年份：2021
基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD).对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计.通过开路、短路去嵌结构法...
[期刊论文] 作者：康玄武, 郑英奎, 王鑫华, 黄森, 魏珂, 吴昊, 孙跃, 赵,
来源：电源学报 年份：2019
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[期刊论文] 作者：陈延博,杨兵,康玄武,郑英奎,张静,吴昊,刘新宇,
来源：半导体技术 年份：2022
在Si基GaN上制备了与CMOS工艺兼容的高性能准垂直结构肖特基势垒二极管(SBD).探索了在GaN体材料上基于Ti/Al/Ti/TiN结构的无金欧姆接触工艺,在650℃的N2氛围退火60 s实现了较好的欧姆接触性能.通过采用电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀工艺,实现了低损伤的侧壁.同......
[期刊论文] 作者：吴昊,康玄武,杨兵,张静,赵志波,孙跃,郑英奎,魏珂,闫江,
来源：半导体技术 年份：2019
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[期刊论文] 作者：康玄武,郑英奎,王鑫华,黄森,魏珂,吴昊,孙跃,赵志波,刘新,
来源：电源学报 年份：2019
氮化镓GaN(gallium nitride)作为第三代半导体材料的代表之一,具有临界击穿电场强、耐高温和饱和电子漂移速度高等优点,在电力电子领域有广泛的应用前景。GaN基器件具有击穿...
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