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[学位论文] 作者：廖乃镘,,
来源： 年份：2009
氢化非晶硅（a-Si：H）薄膜具有光吸收率较高、电阻温度系数较大、与Si半导体IC工艺兼容等特点，在微测辐射热计、太阳能电池、医疗仪器等领域具有广泛的应用前景。然而，a-Si：H薄膜导电......
[学位论文] 作者：廖乃镘,
来源：四川大学 年份：2005
亚共晶Al-Si合金具有比重小、比强度高、铸造性能和机械加工性能好、耐腐蚀、容易回收利用、有利于节能、减轻制动、环境友好等等优点,已成为机车车辆最有前途的轻合金材料之...
[期刊论文] 作者：刘秀娟,廖乃镘,,
来源：半导体光电 年份：2016
采用扫描电子显微镜和电学分析技术研究了电荷耦合器件(CCD)多晶硅层间绝缘介质对器件可靠性的影响。研究结果表明,常规热氧化工艺制作的多晶硅介质层,在台阶侧壁存在薄弱区,...
[期刊论文] 作者：廖乃镘, 张先菊, 李伟,
来源：铸造技术 年份：2005
研究了不同Al-Ti-C加入量对Al-7Si-1.5Cu-Mg合金的晶粒细化效果.试验发现,随着Al-Ti-C加入量的增加,枝晶α-Al晶粒越细小,组织也越均匀,合金的综合力学性能得到提高;当Al-Ti-...
[期刊论文] 作者：廖乃镘,向鹏飞,李仁豪,,
来源：半导体光电 年份：2016
采用无掩模反应离子刻蚀法制备了黑硅。利用扫描电子显微镜及紫外-可见-近红外分光光度计研究了黑硅的微结构和光学特性。结果表明,黑硅微结构高度为2.0~3.5μm,径向尺寸90~4...
[期刊论文] 作者：史磊,李伟,匡跃军,廖乃镘,蒋亚东,,
来源：半导体光电 年份：2007
用等离子体增强化学气相沉积方法制备了掺磷氢化非晶硅薄膜材料，对薄膜的电阻率以及电阻温度系数进行了详细研究。结果表明，掺磷a-Si：H薄膜的电阻率随磷掺杂比（PH3/SiH4）的增大和......
[期刊论文] 作者：廖乃镘,张先菊,李伟,范洪远,黄文容,
来源：热加工工艺 年份：2005
利用激光熔覆技术,在工业纯钛表面原位合成了TiC/Ti复合材料.结果表明:选择不同的激光熔覆工艺参数,可使碳粉和Ti粉通过原位合成反应在钛表面生成TiC/Ti复合材料熔覆层;激光...
[期刊论文] 作者：李世彬,吴志明,蒋亚东,李伟,廖乃镘,,
来源：传感技术学报 年份：2006
通过理论计算得到了桥腿长度和宽度与热导和桥面温升之间的线性关系，辐射功率和桥面温升之间的线性关系，并利用ANSYS软件对线性关系进行模拟验证．根据光学导纳矩阵法，利用Mat Lab......
[期刊论文] 作者：韩恒利,汪凌,唐利,吕玉冰,廖乃镘,,
来源：半导体光电 年份：2013
对电荷耦合器件(CCD)片上放大器直流输出电压的主要影响因素进行了研究,通过对不同源漏工艺、不同栅下注入剂量工艺条件对直流输出的影响分析,指出有效沟道长度和放大管栅下...
[期刊论文] 作者：廖乃镘,林海青,向华兵,李贝,李仁豪,,
来源：半导体光电 年份：2013
表面光电压法(SPV)能精确测量硅片的Fe离子浓度,是一种快速、非破坏性的高灵敏度测试方法。采用表面光电压技术研究了氧化工艺中的Fe离子沾污。研究表明,氧气、氮气、三氯乙...
[期刊论文] 作者：金鑫,李伟,蒋亚东,廖乃镘,陈宇翔,陈德鹅,,
来源：半导体光电 年份：2009
采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺,制备了P-C二元复合掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了C元素对N型a-Si∶H薄膜暗电导率(σ)及电导激活能(Ea)的影响;利用激光拉曼光...
[期刊论文] 作者：李世彬,吴志明,袁凯,廖乃镘,李伟,蒋亚东,,
来源：物理学报 年份：2008
采用铂电极为加热电阻,研究了厚度为300—370nm等离子体化学气相沉积(PECVD)工艺制备的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜的热导率随衬底温度的变化规律.用光谱式椭偏仪拟合测量薄膜的...
[期刊论文] 作者：岳志强,曲鹏程,杨修伟,向华兵,廖乃镘,
来源：半导体光电 年份：2020
PCM(Process Control Monitor)是一种反映生产线工艺状况的质量监控技术。文章围绕影响电荷耦合器件(CCD)工艺中PCM测试结果的工艺因素展开研究, 并对PCM测试结果进行统计分析, 以达到测试结果用于工艺改进的目的, 并最终获取最佳工艺条件。结果表明: 低压化学......
[期刊论文] 作者：陈宇翔, 李伟, 金鑫, 蒋亚东, 廖乃镘, 蔡海洪, 李志,
来源：半导体光电 年份：2004
用射频等离子增强化学气相沉积方法(RF-PECVD)制备磷掺杂氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了辉光放电气体压强(20~80 Pa)对薄膜的暗电导率、电导激活能以及电阻温度系数的影响;...
[期刊论文] 作者：李世彬,吴志明,朱魁鹏,蒋亚东,李伟,廖乃镘,
来源：光电子．激光 年份：2008
采用RF-PECVD工艺在20～100Pa范围内改变a-Si：H薄膜沉积工作气体压强。傅立叶红外光谱仪（FTIR）测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随工作气体压强的变化情况，结合红外光谱峰的理论分析...
[期刊论文] 作者：廖乃镘,李伟,蒋亚东,匡跃军,李世彬,吴志明,,
来源：材料导报 年份：2007
氢化非晶硅（a-Si：H）是一种重要的光敏感薄膜材料，其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si：H薄膜稳定性的研究进展，论述了a-Si：H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关......
[期刊论文] 作者：李世彬,吴志明,朱魁鹏,蒋亚东,李伟,廖乃镘,,
来源：物理化学学报 年份：2007
采用射频等离子增强化学气相沉积（RF—PECVD）I艺制备非晶硅（a—Si：H）薄膜，KBr衬底在175—275℃范围内变化，用傅立叶红外光谱仪WrIR）测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度的变化情......
[期刊论文] 作者：李世彬,吴志明,李伟,于军胜,蒋亚东,廖乃镘,,
来源：物理学报 年份：2008
采用PECVD工艺制备了非晶,微晶和多形硅薄膜,研究了电极间热梯度对氢化硅薄膜结构的影响.根据拉曼光谱得到了微晶硅的晶化率,并在椭偏仪中用BEMA模型验证了其准确性.根据理论...
[期刊论文] 作者：廖乃镘,龙飞,罗春林,雷仁方,李贝,李仁豪,,
来源：半导体光电 年份：2011
为了研制出高性能电荷耦合器件(CCD),减少硅片清洗工艺Fe离子沾污是关键。利用表面光电压(SPV)法,研究了硅片清洗过程的Fe离子沾污。研究表明,SPM(H2SO4/H2O2)→SC-1清洗,去...
[期刊论文] 作者：曾武贤,张振宇,廖乃镘,钟玉杰,袁安波,,
来源：半导体光电 年份：2010
介绍了去除长线阵CCD光敏区中金属的两种方法,即湿法腐蚀和剥离,并比较了两者的优劣。分析了曝光和显影时间对剥离图形的影响,比较了在金属化过程中溅射和蒸发对剥离效果的影...
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