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[期刊论文] 作者：黄琴,刘人华,孙亚宾,李小进,石艳玲,王昌峰,廖端泉,田明,
来源：微电子学 年份：2019
介绍了一种采用 HK-first MG-last FDSOI工艺制作的选择性埋氧(SELBOX)器件.利用 TCAD,对不同背板掺杂类型和埋氧层窗口位置的 SELBOX器件进行直流仿真分析,再与FDSOI器件的...
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