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[学位论文] 作者：廖龙忠,
来源：北京大学 年份：2008
纯硅(silicon，Si)，半导体的导电性很差，因此人们常在硅单晶材料中掺入其它元素来提高它的导电性。掺入的原子会从体内偏析到表面，在特定的条件下会形成掺杂有序的合金。这个合金......
[期刊论文] 作者：廖龙忠,张力江,孙希国,崔玉兴,付兴昌,,
来源：电子工艺技术 年份：2015
通过优化设计材料纵向结构,得到了满足3 mm频段工作的In P外延材料结构,最终采用外延工艺制作了In P外延材料。设计了3 mm频段In P HEMT器件横向结构,确定合适源漏间距和单指...
[期刊论文] 作者：廖龙忠,张力江,孙希国,何先良,崔玉兴,付兴昌,,
来源：半导体技术 年份：2015
设计了Ka波段GaN功率高电子迁移率晶体管(HEMT)外延材料及器件结构,采用Al N插入层提高了二维电子气(2DEG)浓度。采用场板结构提高了器件击穿电压。采用T型栅工艺实现了细栅...
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