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[期刊论文] 作者：弓小武,楼旭,
来源：半导体学报 年份：1996
本文采用数值计算与解析模型相结合的方法，建立了ＩＧＢＴ稳态特性的准数值模型。...
[期刊论文] 作者：弓小武,高玉民,
来源：电力电子技术 年份：1996
采用二维有限元数值分析法，开发出用于反向偏置ｐｎ结分析的模拟软件，它可以模拟与反向耐压有关的终端浅结场环、场板、ＳｉＯ２介质及界面态。本文介绍了模拟所采用的物理模型和模拟方法，并......
[期刊论文] 作者：弓小武,刘玉书,
来源：电力电子技术 年份：1997
介绍了一种被称为ＭＢＭＴ的ＭＯＳ控制功率器件，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＾＋衬底上生长ｎ＾－外处层。该器件被设计中常开器件，当外加一个正向栅压时就可使器件通过阳极电流。......
[期刊论文] 作者：弓小武,刘玉书,
来源：电力电子技术 年份：1997
介绍了一种新型ＭＯＳ控制功率器件－ＭＢＳＩＴ，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＾＋衬底上生成ｎ＾－外延层。该器件被设计为常开器件，它的阳极电流通路完全被ＢＳＩＴ沟道中的自建电场所夹断，当外......
[期刊论文] 作者：弓小武,高玉民,
来源：电力电子技术 年份：1996
采用解析分析的方法，开发了ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的稳态解析模拟软件，它可模拟与ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布相关的直流特性。本文介绍了模拟所采用的物理模型和模拟技术，并得到了优化结论，给出了部分模......
[期刊论文] 作者：弓小武,高玉民,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
采用二维有限元数值分析分析的方法，开发了用于反向偏置ｐ－ｎ结分析的模拟软件，可以模拟与ＭＯＳ型功率器件反向耐压有关的终端浅结场环、场板、ＳｉＯ２介质及界面态，为器件的终端研究，设计和优化提......
[期刊论文] 作者：弓小武,刘玉书,
来源：微电子学与计算机 年份：1994
本文介绍一种采用５μｍ硅栅ＣＭＯＳ工艺制造的集成基准电压源，在－２０℃到１００℃范围内其输出电压稳定性可达５０ｐｐｍ／℃。它的基本工作原理是建立在对双极晶体管ＶＢＥ的负温度系数以正温度系数来补偿，从而获得温......
[会议论文] 作者：弓小武,高玉民,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
该文介绍绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的终端和单元的设计与制造技术；实验验证了一种用于１０００Ｖ ＩＧＢＴ的高压终端，研制的芯片获得了电流２０Ａ，耐压１０００Ｖ的实验结果。......
[期刊论文] 作者：弓小武,楼旭,罗晋生,
来源：半导体学报 年份：1996
本文采用数值计算与解析模型相结合的方法，建立了ＩＧＢＴ稳态特性的准数值模型。基于此模型与瞬态特性的电荷控制解析模型，我们开发了绝缘栅晶体管（ＩＧＢＴ）的稳态和瞬态准数值模拟软件包ＩＧＴＳＩＭ，可以模......
[期刊论文] 作者：楼旭,弓小武,罗晋生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
介绍高压绝缘栅双极晶体管（ＩＧＢＴ）的终端和单元的设计与制造技术；实验验证了两种用于１０００～１２００ＶＩＧＢＴ的高压终端，研制的芯片获得了７．５Ａ，耐压１１５０Ｖ的实验结果。......
[期刊论文] 作者：弓小武,高玉民,罗晋生,
来源：电力电子技术 年份：1996
采用二维有限元数值分析法，开发出用于反向偏置ｐｎ结分析的模拟软件。它可以模拟与反向耐压有关的终端浅结场环、场板、ＳｉＯ２介质及界面态。本文介绍了模拟所采用的物理模型和模拟方法......
[期刊论文] 作者：弓小武,高玉民,罗晋生,
来源：电力电子技术 年份：1996
采用解析分析的方法．开发了ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的稳态解析模拟软件．它可模拟与ＶＤＭＯＳ和ＩＧＢＴ的几何结构、掺杂分布相关的直流特性。本文介绍了模拟所采用的物理模型和模拟技术，并得到了优化结论，给出了部分模......
[期刊论文] 作者：弓小武,樊昌信,刘玉书,
来源：电力电子技术 年份：1997
介绍了一种新型ＭＯＳ控制功率器件———ＭＢＳＩＴ，它的制造工艺类似于一个功率ＭＯＳ的制造工艺，其材料是在ｎ＋衬底上生长ｎ－外延层。该器件被设计为常开器件，它的阳极电流通路完全被ＢＳＩＴ沟道中的自建电场所夹......
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