搜索筛选:
搜索耗时0.1115秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 17 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者：张乐情,
来源：中国科学院大学 年份：2018
...
[学位论文] 作者：张乐情,
来源：中国科学院研究生院 中国科学院大学 年份：2012
TDI-CCD在航空航天领域有着广泛的应用。同其它半导体器件一样，TDI-CCD应用于空间时会受到空间辐射环境中带电粒子（如电子、质子、重离子等）的轰击而引起辐射损伤，导致器件性能退......
[学位论文] 作者：张乐情,
来源：北京交通大学 年份：2021
幼儿园建筑是教育建筑的一种,是对儿童进行预备教育的建筑和空间。与其他教育建筑相比,其特殊性在于,幼儿园建筑的服务对象年龄较小,通常为3～6周岁的幼儿,使得建筑本身除教育意义外更多地被赋予了启蒙、交流的功能。幼儿园建筑存在的目的是为了帮助幼儿更早的体......
[期刊论文] 作者：谌晓洪,张乐情,王玲,兰杰,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：2009
用密度泛函B31yp／6-311＋＋g（d，p）方法对FeH^n±（n=0，1，2）分子离子进行理论研究．结果表明：FeH，FeH^＋，FeH^-均能稳定存在，FeH^2＋和FeH^2-有亚稳定态存在，其基态电子态分别是：4△（FeH），5∑（FeH^＋），5∑（Fe......
[期刊论文] 作者：谌晓洪,张乐情,王玲,兰杰,
来源：四川大学学报（自然科学版） 年份：2009
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：张兴尧,郭旗,张乐情,卢健,吴雪,于新,
来源：核技术 年份：2004
针对一款商用浮栅型Flash存储器进行60Co γ总剂量试验和退火试验,分析了器件失效的机理.使用超大规模集成电路测试系统测试了Flash的DC、AC、功能参数,利用Shmoo测试扩展了...
[期刊论文] 作者：张乐情,郭旗,李豫东,卢健,张兴尧,胥佳灵,于新,,
来源：半导体技术 年份：2012
电荷耦合器件(CCD)辐射效应测试系统需具备通用性。通常情况下需要为每一种CCD设计一款测试电路,无法满足通用性要求,通用性电路的难点在于不同CCD要求不同的驱动通道数、驱...
[期刊论文] 作者：卢健,余学峰,李明,张乐情,崔江维,郑齐文,胥佳灵,,
来源：核技术 年份：2012
通过对CMOS SRAM器件在7种不同的偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射总剂量效应的研究,获得了不同偏置条件下SRAM器件功耗电流和功能出错数随累积剂量的响...
[期刊论文] 作者：胥佳灵,陆妩,吴雪,何承发,胡天乐,卢健,张乐情,于新,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2012
研究了10位双极模数转换器（ADC）在60Coγ射线不同剂量率、不同偏置条件辐照下的电离辐射效应及退火特性。研究结果发现,此类模数混合信号电路在不同偏置和不同剂量率辐照下的电...
[会议论文] 作者：胡天乐,席善斌,胥佳灵,陆妩,吴雪,张乐情,卢健,于新,
来源：2011第十四届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2011
本文介绍了LM837双极运算放大器在1.8Mev、1Mev，不同能量不同束流、相同能量不同束流的电子辐照下的辐射效应及常温退火特性。试验结果表明：1.8MeV电子能量辐照引起的LM837...
[期刊论文] 作者：吴雪,陆妩,王义元,胥佳灵,张乐情,卢健,于新,胡天乐,,
来源：核技术 年份：2011
对商用BiCMOS模数转换器(ADC)AD678进行不同剂量率下电离辐射效应及室温退火特性的研究。结果表明,ADC的敏感参数在不同剂量率下的响应有差异;模拟电源电流和数字电源电流的...
[会议论文] 作者：胥佳灵,陆妩,王义元,吴雪,胡天乐,卢健,张乐情,于新,
来源：2011第十四届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2011
本文研究了10位模数转换器在不同偏置条件下的电离辐射效应及其退火特性。研究结果表明：模数混合信号电路在不同偏置条件下的电离辐照响应有很大的差异。与零偏和加电阻偏置相比，加电偏置下高剂量率辐照时，模数转换器各功能参数损伤变化更加严重，加电阻偏置参数变化......
[会议论文] 作者：胡天乐,陆妩,席善斌,胥佳灵,吴雪,张乐情,卢健,于新,
来源：2011第十四届全国可靠性物理学术讨论会 年份：2011
本文介绍了LM837双极运算放大器在1.8Mev、1Mev，不同能量不同束流、相同能量不同束流的电子辐照下的辐射效应及常温退火特性。试验结果表明：1.8MeV电子能量辐照引起的LM837辐射损伤比1Mev明显；辐照过程中正偏条件下的偏置电流变化比零偏时微大；不同情况下辐照后的室......
Influence of Tilted Angle on Effective Linear Energy Transfer in Single Event Effect Tests for Integ
[期刊论文] 作者：张乐情,卢健,胥佳灵,刘小年,戴丽华,徐依然,毕大炜,张正选,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
A heavy-ion irradiation experiment is studied in digital storage cells with different design approaches in 130 nm CMOS bulk Si and silicon-on-insulator(SOI) tec...
[期刊论文] 作者：于新,何承发,郭旗,张兴尧,吴雪,张乐情,卢建,胥佳灵,胡天,
来源：核电子学与探测技术 年份：2012
非电离能损（NIEL）可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化，计算模型选用经典NIEL模型，计算了能量范围为100keV一200MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料的NI......
[期刊论文] 作者：于新,何承发,郭旗,张兴尧,吴雪,张乐情,卢建,胥佳灵,胡天乐,,
来源：核电子学与探测技术 年份：2012
非电离能损(NIEL)可用于预测半导体器件在空间辐射环境中位移损伤引起的性能参数退化,计算模型选用经典NIEL模型,计算了能量范围为100 keV～200 MeV的电子入硅、锗、砷化镓材料...
[期刊论文] 作者：樊双,胡志远,张正选,宁冰旭,毕大炜,戴丽华,张梦映,张乐情,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
Total ionizing dose induced single transistor latchup effects for 130 nm partially depleted silicon-on-insulator(PDSOI)NMOSFETs with the bodies floating were st...
相关搜索：
