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[会议论文] 作者：张书明[1]曾畅[1]季连[1]王怀兵[2]赵德刚[1]朱建军[1]刘宗顺[1]江德生[1]杨辉[3],
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
利用MOCVD在自支撑GaN体材料为衬底生长了紫光和蓝光激光器外延片。通过优化InGaN/GaN多量子阱和p-AlGaN的生长条件。提高了激光器件的性能。紫光激光器的阈值电流和阈值电压...
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