搜索筛选:
搜索耗时3.3115秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 1 篇相符的论文内容
类      型:
[学位论文] 作者:张同轻, 来源:山东科技大学 年份:2017
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是功率半导体器件第三次技术革命的代表性器件,具有高频率、高电压、大电流,易于开关等优良性能,被业界誉为功率变流装置的“CPU”其在轨...
相关搜索: