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[会议论文] 作者：张昉昉,曾一平,李晋闽,王保强,朱战平,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文采用分子束外延设备,实现了在Si衬底上直接生长InAs量子点.在生长过程中,通过RHEED观察到了S-K生长模式....
[期刊论文] 作者：曹昕,曾一平,孔梅影,王保强,潘量,张昉昉,朱战萍,
来源：半导体学报 年份：2000
用 MBE方法制备的 PHEMT微结构材料 ,其 2 DEG浓度随材料结构的不同在 2 .0— 4.0× 1 0 12 cm- 2 之间 ,室温霍耳迁移率在 50 0 0— 650 0 cm2 · V- 1· s- 1之间 .制备的...
[期刊论文] 作者：曹昕,曹一平,孔梅影,王保强,潘量,张昉昉,朱战萍,
来源：半导体学报 年份：2000
用MBE方法制备的PHEMT微结构材料,其2DEG浓度随材料结构的不同在2.0-4.0×1012cm-2之间,室温霍耳迁移率在5000-6500cm2·V-1·s-1之间.制备的PHEMT器件,栅长为0.7μm的器件的...
[会议论文] 作者：崔利杰,朱战平,王保强,张昉昉,曾一平,李灵霄,林兰英,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
采用MEB技术制备了一系列沟道层不同In组分含量的MM-HEMT材料.结果发现,随In组分含量的变化,材料的电子迁移率有一最佳值,对这一结果给予了解释....
[会议论文] 作者：段瑞飞,曾一平,孔梅影,张昉昉,朱战平,王保强,李灵霄,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
我们用MBE生长了低组分InGaAs/GaAs量子点(x=0.3和0.5),反射高能电子衍射仪(RHEED)显示了良好的2×4再构向三维生长的点状图象转化的过程.同时,原子力显微镜(AFM)实验表明,确实形成了低组分InGaAs/GaAs量子点,其点密度在10数量级范围内.......
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