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[会议论文] 作者：张杰[1]李喜峰[2]吕建国[1]叶志镇[1],
来源：第十二届全国固体薄膜会议 年份：2010
室温下采用射频磁控溅射沉积高阻ZnO薄膜作为沟道层，在玻璃衬底上制备出底栅共平面型结构薄膜晶体管(TFT)。对比源漏极分别为Cr和ITO的两种TFT器件，发现两者均具有好的饱和特性...
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