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Total Ionizing Dose Response of Different Length Devices in 0.13 μm Partially Depleted Silicon-on-In
[期刊论文] 作者：张梦映,胡志远,张正选,樊双,戴丽华,刘小年,宋雷,,
来源：Chinese Physics Letters 年份：2017
An anomalous total dose effect that the long length device is more susceptible to total ionizing dose than the short one is observed with the 0.13 μm partially...
[会议论文] 作者：刘小年,张梦映,戴丽华,宋雷,张正选,宁冰旭,胡志远,
来源：2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 年份：2016
在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄生侧壁晶体管会因浅沟槽隔离氧化层中的陷阱...
[会议论文] 作者：张梦映,胡志远,宁冰旭,宋雷,戴丽华,刘小年,张正选,
来源：2016年上海市研究生学术论坛——电子科学与技术 年份：2016
在器件结构、辐照偏置相同的情况下,研究不同沟道长度的总剂量辐射响应.氧化层中辐射诱生陷阱正电荷是导致器件特性退化的关键.寄生侧壁晶体管会因浅沟槽隔离氧化层中的陷阱电荷沟道反型,产生大的关态漏电流.由于SOI器件绝缘埋层的存在,同样会存在陷阱正电荷,对......
[期刊论文] 作者：樊双,胡志远,张正选,宁冰旭,毕大炜,戴丽华,张梦映,张乐情,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
Total ionizing dose induced single transistor latchup effects for 130 nm partially depleted silicon-on-insulator(PDSOI)NMOSFETs with the bodies floating were st...
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