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[学位论文] 作者：张殿朝,
来源：天津工业大学 年份：2017
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[期刊论文] 作者：付晓明,张殿朝,,
来源：中国科技纵横 年份：2016
近代中国的发展技术已经变得越来越成熟，这也同时代表着中国的科学技术已经接近成熟。科学技术的发展也大大的提升了有关自动化科技的效率以及应用。自动化是指应有机器设备、......
[期刊论文] 作者：张殿朝,付晓明,,
来源：中国科技纵横 年份：2016
随着现代经济的快速发展，节能环保问题显然已经是人们日常生活中所关注的重要问题，绿色电力的电厂自动化控制的建立，不仅仅对保护环境有帮助，对其自身电力的发展也有着巨大的作用......
[期刊论文] 作者：闫萍,陈立强,张殿朝,
来源：半导体技术 年份：2007
介绍了高阻真空区熔硅单晶的研制工艺，研制出了导电类型为P型，电阻率（3—5）×10^3 Ω·cm及（1～2）×10^4 Ω·cm两种规格的真空区熔硅单晶，其中电阻率（3～5）×10^3 Ω......
[期刊论文] 作者：于妍,张殿朝,杨洪星,,
来源：电子工业专用设备 年份：2011
介绍了激光打标机的工作原理,并采用波长为1064 nm的光纤型激光打标机在硅单晶片上制作标识码。通过研究激光功率对打标深度的影响,确定了合适的激光打标功率为激光器总功率...
[期刊论文] 作者：付晓明,张殿朝,李超,
来源：电力安全技术 年份：2021
以内蒙古京泰火力发电厂1号机组为例,提出为提高机组自动发电控制系统和一次调频的性能及节能降耗,需对数字式电液控制系统阀门流量特性曲线进行优化和再调整。试验证明优化后机组在单阀/顺序阀切换过程中表现更平稳,负荷扰动更小,主汽温度、主汽压力等参数更为......
[期刊论文] 作者：张殿朝,许德洪,张志强,赵传健,,
来源：天津科技 年份：2016
通过对FDQ-100型水电解制氢设备控制系统进行升级改造，将原有气动控制升级为PLC软件控制，配备上位机显示及远程控制，可同时显示系统运行情况、报警点位，并绘制系统运行压力、温度......
[期刊论文] 作者：张殿朝,许德洪,郭健,曲锟,
来源：天津科技 年份：2017
锅炉房作为传统重要危险源，其安全生产不客忽视。通过对新建燃气蒸汽式锅炉房项目具体事例开展专项研究，以前期规划、过程控制和隐患排查持续改进为原则，将项目基本情况、工艺设......
[期刊论文] 作者：栾国旗, 张殿朝, 闫萍, 高颖, 马玉通,,
来源：电子工业专用设备 年份：2010
对真空单晶用多晶硅真空区熔提纯技术进行了分析,通过理论实践相结合,对真空区熔提纯过程中的提纯速率、熔区长度、提纯次数以及其它工艺参数进行了分析,制定了获得目标电阻...
[期刊论文] 作者：索开南,闫萍,庞炳远,张殿朝,,
来源：天津科技 年份：2010
半导体硅光电探测器用的单晶硅要求具有非常高的纯度和晶格完整性,才能保证探测器能够实现暗电流低和直流、脉冲响应度高的目标。这对材料纯度提出非常高的要求。现在市面上...
[期刊论文] 作者：庞炳远, 闫萍, 索开南, 张殿朝,,
来源：天津科技 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：闫萍,张殿朝,索开南,庞炳远,,
来源：半导体技术 年份：2010
在氩气气氛及真空环境下生长的高阻区熔硅单晶的径向少子寿命分布情况进行了检测。检测结果表明,在氩气气氛下生长的各种规格的高阻单晶,其少子寿命一般都在1 000μs以上,且...
[期刊论文] 作者：庞炳远,闫萍,索开南,张殿朝,,
来源：中国电子科学研究院学报 年份：2009
悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一，线圈形状作为主要的工艺参数直接影响能量分布并最终决定硅单晶的生长情况。通过有限元法对区熔硅单晶生长进行数值模拟，考虑二维轴对称......
[期刊论文] 作者：张殿朝,闫萍,索开南,庞炳远,,
来源：天津科技 年份：2010
对30mm、〈111〉晶向真空区熔硅单晶生长关键技术特点进行了分析，针对单晶生长过程中容易发生晶变的问题，从熔区受力、热场设计、结晶动力学等方面进行研究，理论联系实践，优化工......
[期刊论文] 作者：闫萍,张殿朝,庞丙远,索开南,,
来源：半导体技术 年份：2008
通过在Ar气氛及真空环境中进行的高阻区熔Si单晶生长实验,分析了晶体直径、晶体生长环境及晶体生长速率对晶体中微缺陷及少子寿命的影响及产生这种影响的原因。单晶生长实验...
[期刊论文] 作者：庞炳远,闫萍,索开南,张殿朝,,
来源：天津科技 年份：2010
在原有3英寸〈100〉区熔硅单晶生长工艺的基础上,通过适当的调整热场和生长参数,成功地在德国CFG4/1400P型区熔单晶炉上生长出了4英寸〈100〉晶向的区熔硅单晶,满足了对大直...
[期刊论文] 作者：庞炳远,闫萍,索开南,张殿朝,,
来源：半导体技术 年份：2008
悬浮区熔法是生长Si单晶的重要方法之一,高频线圈产生的电磁场能量分布直接影响着Si单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔Si单晶生长进行数值模拟。考虑了二维轴对称情...
[期刊论文] 作者：庞炳远, 闫萍, 索开南, 张殿朝,
来源：天津科技 年份：2010
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[会议论文] 作者：庞炳远,闫萍,索开南,张殿朝,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
悬浮区熔法是生长硅单晶的重要方法之一,高频线嘲产生的电磁场能量分布直接影响着硅单晶的生长情况,通过有限元的方法可以对区熔硅单晶生长进行数值模拟。本文考虑了二维轴对称情况下由高频线圈产生的电磁场对熔区产生的影响,分析了区熔硅单晶生长系统的组成,通......
[期刊论文] 作者：张殿朝,王义俊,付晓明,李超,
来源：内蒙古煤炭经济 年份：2021
近年来由于中国煤炭供需形势的充分市场化,煤价不断上涨,废热火力发电厂能源生产成本大幅度增加,一般占到全部发电生产成本的70％以上或者更高,所以加大废热火力发电厂能源的管控力度,实施能源进、耗、存精细管理成为当前废热火力发电厂的首要任务之一.本文阐述了......
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