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[学位论文] 作者：张贻贤,,
来源：华中科技大学 年份：2020
随着半导体工艺节点的推进与器件特征尺寸的减小,传统浮栅存储器面临着器件漏电增大、电荷泄露严重和可靠性下降等问题。采用分立式电荷存储结构的纳米晶作为电荷存储层,纳米晶浮栅型存储器具有低工作电压、高擦写速度以及与CMOS工艺兼容等特点,得到了广泛的研......
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