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[学位论文] 作者：张银婵,
来源：河北工业大学 年份：2023
集成电路制造过程中,多层铜布线每一层均需采用化学机械抛光（CMP）技术进行平坦化。当极大规模集成电路（GLSI）特征尺寸降低至14 nm及以下,因涉及新阻挡层材料钴和新工艺“一步抛光”引入,给铜膜抛光带来了极大的挑战。抛光液中添加剂的协同作用是实现铜膜平坦化的关......
[期刊论文] 作者：罗付,牛新环,张银婵,朱烨博,侯子阳,屈明慧,闫晗,
来源：半导体技术 年份：2022
氮化镓(GaN)因具有耐酸碱、硬度大等特点使其难以进行精密加工.因此,高效实现GaN的化学机械抛光(CMP)成为了一个技术难题.CMP过程中,抛光液的组分及其性质对抛光效果起决定性的作用.对近年来应用于GaN CMP抛光液中的磨料、氧化剂、表面活性剂、光催化剂等重要组......
[期刊论文] 作者：屈明慧,牛新环,侯子阳,张银婵,朱烨博,闫晗,罗付,
来源：电镀与涂饰 年份：2022
简介了蓝宝石化学机械抛光(CMP)的基本原理,从磨料、pH调节剂、表面活性剂、配位剂和其他添加剂方面概述了近年来蓝宝石CMP体系的研究进展,展望了蓝宝石CMP体系未来的研究方向....
[期刊论文] 作者：张银婵,牛新环,周佳凯,杨程辉,冯子璇,常津睿,侯子阳,朱烨博,
来源：应用化工 年份：2021
首先介绍了甘氨酸的基本性质,接着回顾了近年来国内外甘氨酸在集成电路多层布线及其它材料CMP中的不同应用,归纳总结表明甘氨酸在CMP过程中可以起到络合、缓蚀、控制电偶腐蚀、催化等多种作用,具有宽泛的应用领域,最后对氨基酸类的添加剂在CMP中的应用前景进行......
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