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[学位论文] 作者：彭存建,,
来源：杭州电子科技大学 年份：2014
忆阻器是继电阻、电感和电容之后的第四种基本电路元件，其概念于1971年提出，但直到2008年HP实验室才发现TiO2在纳米尺度下具有记忆电阻的特性。忆阻器是一种无源的非线性电路元...
[期刊论文] 作者：王伟,彭存建,,
来源：现代电子技术 年份：2014
针对Logistic映射参数简单、混沌区间范围小的缺点，提出一种新型的离散指数混沌映射。通过引入指数项和增加参数个数，进而扩大映射的混沌区间。利用常规的动力学分析方法，对指数......
[期刊论文] 作者：彭存建,王光义,王伟,
来源：杭州电子科技大学学报 年份：2014
忆阻器是一种具有记忆性的新型非线性电阻,是继电阻器、电容器和电感器之后的第4种基本电路元件。该文根据惠普实验室提出的荷控型TiO2忆阻器模型,构建了一个磁控TiO2忆阻器...
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