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[学位论文] 作者：彭成晓,,
来源：中国科学技术大学 年份：2006
近年来，以ZnO和GaN为代表的第三代半导体材料由于其独特的物理特性引起了科研人员极大的研究兴趣，这些材料中的点缺陷是影响其性能的重要因素，因此准确鉴别和量化材料中的点缺陷......
[期刊论文] 作者：张杨,李学红,彭成晓,,
来源：发光学报 年份：2012
采用化学气相沉积法制备了纳米棒状的氧化锌纳米结构薄膜和没有纳米棒的氧化锌薄膜,通过直流溅射在所制备的有纳米棒和没有纳米棒的氧化锌薄膜上淀积约3 nm厚的金纳米颗粒薄...
[期刊论文] 作者：彭成晓, 房彩丽, 王超,,
来源：物理通报 年份：2014
通过分类讨论矢量与矢量微分之间的标积，帮助初学者对矢量与矢量微分之间标积结果的理解．...
[期刊论文] 作者：张杨,李学红,彭成晓,
来源：发光学报 年份：2004
采用化学气相沉积法制备了纳米棒状的氧化锌纳米结构薄膜和没有纳米棒的氧化锌薄膜,通过直流溅射在所制备的有纳米棒和没有纳米棒的氧化锌薄膜上淀积约3 nm厚的金纳米颗粒薄...
[会议论文] 作者：Chengxiao Peng,彭成晓,Yang Zhang,张杨,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
通过第一性原理研究了ZnO本征半导体中本征缺陷和H杂质对ZnO dO铁磁性的影响。结果表明：单个锌空位(VZn)可以产生1.73μB磁矩,而氧空位(Vo)不能产生磁性,但是锌空位缺陷形成能比氧空位缺陷形成能要高出很多。当H杂质存在时,VZn+-II复合缺陷的缺陷形成能比VZn低了......
[会议论文] 作者：ChengxiaoPeng[1]彭成晓[2]YangZhang[1]张杨[2],
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
通过第一性原理研究了ZnO本征半导体中本征缺陷和H杂质对ZnO dO铁磁性的影响。结果表明：单个锌空位(VZn)可以产生1.73μB磁矩,而氧空位(Vo)不能产生磁性,但是锌空位缺陷形...
[会议论文] 作者：彭成晓;梁勇;王科范;张杨;赵高峰;王渊旭;,
来源：2014年全国博士后新材料技术与应用学术论坛 年份：2014
用第一性原理研究了ZnO中本征缺陷及本征缺陷与H原子形成的缺陷复合体对ZnO铁磁性的影响.结果表明:单个锌空位VZn在ZnO中可以引入1.73μB的磁矩,然而氧空位Vo不能诱发磁性,但...
[期刊论文] 作者：彭成晓, 翁惠民, 杨晓杰, 叶邦角, 周先意, 韩荣典,
来源：核技术 年份：2005
利用慢正电子研究了不同氧含量时射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷(Vo,VZn)随混合气体中O2比例(PO2)的变化关系.结果表明:PO2≤70%时,这些ZnO样品中存在同...
[会议论文] 作者：彭成晓,翁惠民,杨晓杰,叶邦角,周先意,韩荣典,
来源：第九届全国正电子谱学术会议 年份：2005
利用慢正电子研究了不同氧压下射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷随反应气体中O2比例(PO2)的变化关系.结果表明:PO2≤70％时,这些ZnO样品中存在同一种正电子...
[期刊论文] 作者：徐燕,翁惠民,叶邦角,周海洋,王海云,彭成晓,郗传英,成斌,,
来源：化学物理学报 年份：2004
用慢正电子束辅助以拉曼光谱方法对一批较高质量的PECVD金刚石膜的微结构进行测量研究.拉曼光谱实验结果显示,这批金刚石膜中金刚石相含量比较高,正电子湮没实验进一步从微观...
[会议论文] 作者：彭成晓[1]翁惠民[1]杨晓杰[2]叶邦角[1]周先意[1]韩荣典[1],
来源：第九届全国正电子谱学术会议 年份：2005
利用慢正电子研究了不同氧压下射频磁控反应溅射制备的ZnO样品,观察到ZnO中本征缺陷随反应气体中O2比例(PO2)的变化关系.结果表明:PO2≤70％时,这些ZnO样品中存在同一种正电子...
[期刊论文] 作者：徐燕,翁惠民,叶邦角,周海洋,王海云,彭成晓,郗传英,成斌,周先意,韩荣典,,
来源：Chinese Journal of Chemical Physics 年份：2006
用慢正电子束辅助以拉曼光谱方法对一批较高质量的PECVD金刚石膜的微结构进行测量研究．拉曼光谱实验结果显示,这批金刚石膜中金刚石相含量比较高,正电子湮没实验进一步从微观...
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