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[期刊论文] 作者：韩博,李进,安百俊,石星宇,徐尊豪,
来源：半导体技术 年份：2021
位错可以通过缩短少数载流子寿命而严重限制多晶硅太阳电池的转换效率,随着对高转换效率的追求,研究多晶硅位错的重要性也随之增加.在介绍现有半导体晶体CRSS和HAS位错模型的基础上,归纳了定向凝固法生长多晶硅中应力、晶界、杂质、过冷度对位错形成的影响机制......
[期刊论文] 作者：韩博, 李进, 安百俊, 徐尊豪, 石星宇,
来源：太阳能学报 年份：2023
利用CGSim软件对定向凝固多晶硅从长晶过程开始到退火过程结束进行瞬态数值模拟，研究不同退火温度和退火时间对多晶硅锭内热应力及位错密度的影响。通过软件中热弹性应力非稳态模型（Haasen-Alexander-Sumino模型）计算出位错和Von-Mises应力。结果表明：随着退火温度......
[期刊论文] 作者：徐尊豪, 李进, 何显, 安百俊, 周春玲,
来源：人工晶体学报 年份：2020
大尺寸直拉单晶硅的“增效降本”是当前光伏企业急需解决的问题。本文采用有限元体积法对φ300 mm直拉单晶硅生长过程分别进行稳态和非稳态全局模拟，研究提高拉晶速率对直拉单晶硅生长过程中的固液界面、点缺陷分布以及生长能耗的影响。结果表明，拉晶速率提高为1.......
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