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[期刊论文] 作者：戚运东,
来源：杭州电子技术 年份：1992
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[会议论文] 作者：王质武,戚运东,欧阳红英,
来源：第十届全国MOCVD学术会议 年份：2007
缓冲层阶段由于晶界的存在,特别是晶界密度高时,生长过程中引入的张应力会限制CaN层的生长厚度,AlN种子层后原位生长SiN作为掩摸层横向外延生长GaN不仅可以减少位错提高晶体...
[期刊论文] 作者：戚运东 卢国军 苗振林 牛凤娟,
来源：科技与企业 年份：2014
【摘要】GaN基LED具有高亮度、低能耗、寿命长、响应速度快等优良特性，在固态照明、液晶背光源、全色显示等领域有着广泛的应用。在大电流驱动时维持高效率，是LED 提升亮度和降低成本的关键，但是LED的效率却会随着电流上升而减弱，即Efficiency droop。Efficiency dr......
[期刊论文] 作者：李晋闽,王国宏,王军喜,伊晓燕,刘志强,戚运东,,
来源：中国科技成果 年份：2015
基于氮化物LED的半导体照明技术具有高效节能、长寿命、宽光谱、智能化等特点，是继白炽灯、荧光灯之后照明光源的又一次革命，为解决日益严峻的能源和环境问题提供了重要途径，被......
[期刊论文] 作者：汪延明,付宏威,徐林炜,苗振林,梁智勇,许亚兵,戚运东,,
来源：材料导报 年份：2015
研究了ITO与n-GaN方阻的大小关系对电流扩展的影响，结果表明，在一定电极图形设计下，当ITO方阻大于n-GaN层方阻时，电流朝P电极附近集中，当IT0方阻小于n-GaN层方阻时，电流朝N电极附近......
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