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[学位论文] 作者：戴大康,,
来源：湖南大学 年份：2008
随着超大规模集成电路的发展,半导体器件的特征尺寸越来越小,数字集成电路的芯片集成度越来越高,半导体器件由微米级逐渐进入纳米级,量子效应对器件的影响越来越大,传统微电...
[期刊论文] 作者：杨红官,李晓阳,喻彪,戴大康,,
来源：微电子学 年份：2006
文章从分析量子力学效应对纳米级MOS器件的影响出发，采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法，建立了纳米级MOS器件直接隧穿栅电流的计算模型。通过和实验数据的比较，证明了该模型......
[期刊论文] 作者：戴大康,杨红官,喻彪,曾云,,
来源：微计算机信息 年份：2008
采用等效电路的方法，将单电子晶体管（SET）等效为由电容、电阻、多个压控电压源和压控电流源构成的电路，并从SET的结构出发，利用正统理论和量子力学理论，得到了单电子晶体管的电压与......
[期刊论文] 作者：喻彪,杨红官,戴大康,曾云,,
来源：微计算机信息 年份：2008
文中分析了混频器的线性度与转换增益之间的关系，提出了一种提高Gilbert混频器线性度的方法，并设计了5GHz频段适用于802．11a标准的高线性度混频器。电路采用0．18μmCMOS工艺，通过C......
[期刊论文] 作者：杨红官,朱家俊,喻彪,戴大康,曾云,,
来源：微电子学 年份：2007
采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应，建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用该模型数值，研究了Si2N4／SiO2、Al2O3／SiO2、HfO...
[期刊论文] 作者：周少华,熊琦,杨红官,戴大康,曾健平,曾云,,
来源：吉首大学学报(自然科学版) 年份：2009
在对纳米遂穿结（SETJ）及单电子晶体管（SET）的特性进行分析的基础上，笔者采用等效电路的方法，提出了基于压控单元的SET宏模型，仿真得到单电子晶体管的特性曲线．通过器件仿真的输出特性......
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