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[学位论文] 作者：戴拖,
来源：厦门大学 年份：2016
随着集成电路的集成度越来越高，第一代Al互连材料由于较差的抗电迁移能力，已不能满足高性能互连材料的要求。Cu比Al具有更低的电阻率、更好的抗电迁移能力，因此，Cu取代Al成为新一......
[期刊论文] 作者：王翠萍,戴拖,卢勇,施展,张锦彬,刘兴军,,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：2016
采用磁控溅射法在Si（100）基板上沉积厚度为50nm的V、V-N和V/V-N扩散阻挡层,并在扩散阻挡层上制备了厚度为300nm的Cu薄膜,最终获得了Cu/V/Si、Cu/V-N/Si和Cu/V/V-N/Si 3种多层薄...
[会议论文] 作者：王翠萍,戴拖,卢勇,阮晶晶,郭毅慧,刘兴军,
来源：第十七届全国相图学术会议暨相图与材料设计国际研讨会 年份：2015
集成电路中Cu互连线在低温下可通过扩散形成Cu-Si化合物,而影响零件可靠性,在Cu中掺杂合适的元素来阻止Cu-Si化合物形成和界面扩散成为Cu互连技术需要解决的关键问题.为了研究Al的添加对Cu/Si薄膜界面扩散行为的影响,本研究采用磁控溅射方法在Si基底上沉积Cu-0.......
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